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功率场效应管

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系列中小功率场效应管
系列中小功率场效应管
  • 型号/规格：

    2SK2800

  • 品牌/商标：

    U

  • *类别：

    无铅*型

  • 锋泽电子

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-88917223

    手机：13510355358

功率场效应管MCH3405-TL-E
功率场效应管MCH3405-TL-E
  • 型号/规格：

    MCH3405-TL-E

  • 品牌/商标：

    SANYO

  • 封装形式：

    塑料封装

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片

  • 包装方式：

    盒带编带包装

IRF540N IRF540NPBF 场效应管 大功率场效应管 IRF
IRF540N IRF540NPBF 场效应管 大功率场效应管 IRF
  • 型号/规格：

    IRF540N

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    P-DIT

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    IR/国际整流器

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

原装功率场效应管IRFZ44N
原装功率场效应管IRFZ44N
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFZ44N

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 开启电压：

    55（V）

  • 漏*电流：

    49000（mA）

4N60 TO-251 大功率场效应管 结型场效应管 4n60 n沟道结型晶体管
4N60 TO-251 大功率场效应管 结型场效应管 4n60 n沟道结型晶体管
  • 场效应管：

    4.4A 600V

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    FTA4N60C

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    TRA美国晶体管

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60
大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60
  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格：

    IXFH26N60Q

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流：

    26A

IR场效应管原装IRFBC30PBF 大功率场效应管
IR场效应管原装IRFBC30PBF 大功率场效应管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFBC30PBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 类型：

    其他IC

大功率场效应管KSK1414 三*管现货*
大功率场效应管KSK1414 三*管现货*
  • 应用范围：

    功率

  • 品牌/商标：

    Hitachi/日立

  • 型号/规格：

    K1414

  • 材料：

    硅(Si)

  • 封装形式：

    TO-*L

大功率场效应管IXFK48N50 IXFK48N50Q 芯片三*管现货
大功率场效应管IXFK48N50 IXFK48N50Q 芯片三*管现货
  • 应用范围：

    振荡

  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格：

    18

  • 材料：

    硅(Si)

  • 封装形式：

    TO-*L

共漏*N沟道增强型功率场效应管8205A/8205B/ 8205C
共漏*N沟道增强型功率场效应管8205A/8205B/ 8205C
  • 类型：

    驱动IC

  • 品牌/商标：

    FORTUNE/台湾富晶

  • 型号/规格：

    FS8205

  • 封装：

    MSOP8/SOT23

  • 批号：

    2013+

MW6S010GNR1 - 射频功率场效应管 MOSFET N沟道 宽带 68V
MW6S010GNR1 - 射频功率场效应管 MOSFET N沟道 宽带 68V
  • 类型：

    通信IC

  • 品牌/商标：

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 型号/规格：

    MW6S010

  • 电源电压：

    0.1

  • 功率：

    0.1

  • 频率：

    0.1

  • 用途：

    仪器

  • 封装：

    TO-270

*童大功率场效应管FQPF8N60C N通道MOS 场效应 MOS管
*童大功率场效应管FQPF8N60C N通道MOS 场效应 MOS管
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF8N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

功率场效应管 IRF9640STRLPBF
功率场效应管 IRF9640STRLPBF
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    IR

  • 型号/规格：

    IRF9640STRLPBF

  • 功率：

    12

  • 用途：

    仪器

  • 封装：

    TO263

  • 批号：

    2013

IR 功率场效应管 IRF1104L TO-262
IR 功率场效应管 IRF1104L TO-262
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    IRF1104L TO-262

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

*童功率场效应管 600V 10.5A FQP12N60C FQP12N60【*】
*童功率场效应管 600V 10.5A FQP12N60C FQP12N60【*】
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    12N60 FQP12N60C FQP12N60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DIFF/差分放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

FQPF10N60C *童, 大功率场效应管
FQPF10N60C *童, 大功率场效应管
  • 封装外形：

    TO-220-3 整包

  • 型号/规格：

    FQPF10N60C

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    L/功率放大

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

大量* IRF9640PBF 场效应管 大功率场效应管 IRF ir fsc
大量* IRF9640PBF 场效应管 大功率场效应管 IRF ir fsc
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF9640PBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

功率场效应管 IRFB38N20DPBF FB38N20 质量* 优势产品
功率场效应管 IRFB38N20DPBF FB38N20 质量* 优势产品
  • 加工定制：

    是

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFB38N20DPBF

  • 应用范围：

    功率

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCEO：

    200（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    38（A）

IRFP240/IRFP9240大功率场效应管
IRFP240/IRFP9240大功率场效应管
  • 品牌：

    IR/国际整流器

  • 型号：

    IRFP240/IRFP9240

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DUAL/配对管

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

UTC2N60大功率场效应管
UTC2N60大功率场效应管
  • 品牌：

    台湾UTC

  • 型号：

    UTC2N60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

什么是功率场效应管?

  • 　　功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，具有自关断能力,驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。

  • 目录

    功率场效应管

功率场效应管技术资料

功率场效应管相关产品

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