品牌:德力西 型号:M系列 封装材料:塑料封装 控制方式:电力半导体 *数:多*1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质应无腐蚀金属的气体和破坏*缘的杂质; 2、模块的工作温度-40℃～125℃,环境相对湿度≤85%,...
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摘要：简要叙述了电力半导体模块的发展过程，介绍了晶闸管智能模块的结构和特性，描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势，指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词：电力半导体模块；智能晶闸管模块；IGBT模块；IGBT智能模块一种新型器件的诞生往往使整
摘要：简要叙述了电力半导体模块的发展过程，介绍了晶闸管智能模块的结构和特性，描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势，指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词：电力半导体模块；智能晶闸管模块；IGBT模块；IGBT智能模块引言一种新型器件的诞生往往
di/dt--通态电流临界上升率ITSM—通态（不重复）浪涌电流dv/dt—断态电压临界上升率Rth(c－h)—底板与散热器之间的接触热阻f----工作频率Rth(j－c)—结壳（铜底板）热阻ID---桥式电路直流输出电流Rth(h－a)—散热
电力半导体模块符号和术语说明：di/dt--通态电流临界上升率ITSM—通态（不重复）浪涌电流dv/dt—断态电压临界上升率Rth(c－h)—底板与散热器之间的接触热阻f----工作频率Rth(j－c)—结壳（铜底板）热阻ID---桥式电路最大直流
