FH
7N60
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
电话:86 020 61972608
2N60-20N90
INFINEON(英飞凌)
TO-220
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
电话:020-84287108
手机:13826088898
CER-DIP/陶瓷直插
2SK962
N-FET硅N沟道
FUJI/富士通
N沟道
结型(JFET)
增强型
其他IC
手机:
FAIRCHILD/*童
50N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IR2111strpbf
结型(JFET)
N沟道
增强型
HI-REL/高*性
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
手机:
K30 规格参数:NF-RA/HF,50V,0.0026-0.0065A,0.1W,Nr=0.5dB TO-92封装,原装,*合欧洲ROHS标准,耐压耐温高,介质损耗漏电小,频率特性好。适合科技,电脑,汽车,通信设备,家电等。售前服务:提供样品规格书,运费由客户支付,批量由本公司支付运费。售后服务:如产品质量问题,在不上锡不损坏的情况,包退包换。如有其它...
手机:
AO
2N60
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
ZF/中放
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:13527736886
AMS美国微系统
AMS1117CD-ADJ
结型(JFET)
N沟道
增强型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
手机:
FAIRCHILD/*童
FQPF6N80C
结型(JFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
800(V)
手机:
台湾封装,
SI3406
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
FIARCHILD
FQPF10N60C
TO-220F
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
600(V)
10(mA)
手机:
IR/国际整流器
IRF3205PBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
东芝、富士通等
2SJ256
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
手机:
IR/国际整流器
IRF9640
结型(JFET)
P沟道
增强型
MAP/匹配对管
SP/*外形
M*金属半导体
手机:
IR/国际整流器
IRF3710
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
TO-22OAB
手机:
否
INFINEON/英飞凌
11N60
开关
硅(Si)
NPN型
600(V)
11(A)
手机:
0
其他IC
SVF12N65F
13+
士兰微
TO-220F
手机:13829723239
IR/国际整流器
IRF840
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:13539968574
CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插
75NF75
N-FET硅N沟道,N-FET硅N沟道
L/功率放大,L/功率放大
ST/意法
N沟道,N沟道
*缘栅(MOSFET),*缘栅(MOSFET)
增强型,增强型
电话:86 020 62794020
手机:15002021400
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...