IRF9510
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
TO-220
手机:
AUK
SMK1350F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SP/*外形
N-FET硅N沟道
电话:025-87771568
ST意法半导体/P75NF75
*缘栅MOSFET
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
0(V)
0(V)
0(μS)
0(pF)
电话:0512-55182189
MDP9N60
MAGNACHIP
TO-220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
大功率
电话:0510-82607151
手机:13812005511
/
IRFP450pbf
品牌/商标/型号/规格IRFP450pbf种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式耗尽型封装外形CER-DIP/陶瓷直插开启电压/(V) 夹断电压/(V) 跨导/(μS) *间电容/(pF) 低频噪声系数/(dB) 漏*电流/(mA) 耗...
电话:0512-68052656
品牌:美格纳 型号:MDD1654 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流MDW0533E TOP-VIEW封装 VDS:30V RDS(ON):19.5mΩ 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED...
电话:0510-66811569
电话:0510-83409589
MDF4N60
美格纳(Magnachip)
TO-220F
无铅*型
直插式
盒带编带包装
电话:0510-66811568
手机:15050670470
型号:IR 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型诚桩电子电子供应IR系列场效应管,如: IRF530NIRF2807IRFP150 IRF540NIRF3205IRFP250 IRF630NIRF3710IRFP450 IRF640NIRF9540IRFP460 IRF730NIRF9530IRFZ24N I...
电话:025-84535686
SP/*外形
SVF2N60M(MJ)
N-FET硅N沟道
TR/激励、驱动
SL士兰微电子
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:519-88099996
4.5
CER-DIP/陶瓷直插
GFP730
guoyu
绝缘栅(MOSFET)
22
电话:0510-85169142
手机:13921157956
LBSS138LT1G
LRC
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0512-65811982-616
手机:13817270684
品牌:IPS 型号:FTP12N06 你好,我是做美国IPS场效应管代理的,代替IRF3205,2807,1010E,840,830,740,730,640,630H和FQP8N60C,FQP5N60C IPS场效应管的质量和IR,Faifchild,ST,Philip,Fuji,Toshiba媲美,...
电话:0512-57560816
手机:13616281628
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...