NS/国半
各种型号都有
结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机：
YAU日本GENERAL
8N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
1（V）
1（V）
1（μS）
手机：
杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
手机：
SP/*外形
IRF530N
N-FET硅N沟道
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机：
TOSHIBA/东芝
TK80A08K3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机：13666606114
FEIHONG
FHP7N80
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话：86 571 88009772
手机：15088650833
品牌：ST/意法型号：STP140NF75种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型夹断电压：75（V） ST(意法半导体）公司原装MOS管，75V,120V。"
电话：0571-88009842
IR/国际整流器
IRFP460
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
LMP-C/阻*变换
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
电话：86 0571 88009135
CEN美国*半导体
MUR120A
品牌/商标 CEN美国*半导体 型号/规格 MUR120A 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 销售IR、APT、HAR、MOT、ST、FUJ、TOS、GI、NEC、FSC、HIT等厂家的集成芯片、二三*管、发光管、光敏管、大小功率场...
电话：571-88009114
NCE
NCE7580
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
P-FET硅P沟道
电话：571-88009772
FRE*CALE/飞思卡尔
FQD13N10L
TO-252
其他IC
其他
其他
电话：0571-56789189
ST/意法
STPS20S100*
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CHOP/斩波,限幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话：0571-88009197
PHILIPS飞利浦/BSN20
点接触型
硅Si
贴片型
陶瓷封装
电话：0571-56789128
国产
3DJ7
品牌/商标 国产 型号/规格 3DJ7 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） *间电容 ...
电话：571-88009785
ADV美国先进半导体
IRF1010E
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
电话：0571-88009114
手机：13958010278
品牌:金达电子 产地:上海 型号:3DJ8 3DJ8系列结型场效应管(N道沟).具有高输入阻*.低噪声.高跨导.温度性能好.产品应用：*高频放大 * 调谐放大 *阻*变换 *静噪电路 *斩波器等仪器仪表.自动化检测设备中.
电话：0571-88009785
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析：irf4905产品近一段时间销量较稳定，网上搜索、报价较多，零售价在4.00元，量大价优。irf4905基本参数：封装：TO220品牌：IR闸电荷(Qg)@Vgs：180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外，对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点：（1）场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。（2）为了
有直流参数，包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻；交流参数，即低频跨导；极限参数，包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数，当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例： 结型FET源极接地放大电路 电路结构： 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
