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高压场效应管

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源头工厂
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    7500

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    SVF10N65F

  • 封装:

    TO220

  • 批号:

    13+

  • 属性:

    属性值

  • 批号:

    12+

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    通信IC

  • 型号/规格:

    AO6704 AO6415 AO6419

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    AO

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标:

    SL

  • 型号/规格:

    SVF7N65

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    比亚迪(BYD)

  • 型号:

    BF96N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    BF92N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    比亚迪

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

    品牌:IR 型号:IRFP22N60KPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道IR原装,U=600V,I=22A,RDS=280毫欧,TO-247。实物拍摄,如有需要请致电...

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格:

      FQPF10N60C

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 开启电压:

      2-4(V)

      特色标志:新品 品牌:TS 型号:TSN1N60 封装:TO-92 *限电压:600(V) *限电流:0.3(A) 用途:充电器。HID 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型代理:日本松木低压MOS管系列,韩国TS高压系列MOS管。台湾震...

      • 品牌/商标:

        UTC(台湾友顺)

      • 型号/规格:

        10N80

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        耗尽型

      • 用途:

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 封装外形:

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 型号/规格:

        2SK3565

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 用途:

        SW-REG/开关电源

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式:

        增强型

      • 品牌:

        比亚迪(BYD)

      • 型号:

        BF96N60

      品牌/商标 比亚迪(BYD) 型号/规格 BF96N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(&...

      • 品牌/商标:

        IR/国际整流器

      • 型号/规格:

        IRFP22N60KPBF

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        S/开关

      • 封装外形:

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

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