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高压场效应管

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MEM12N60 高压场效应管IC
MEM12N60 高压场效应管IC
  • 型号/规格：

    MEM12N60

  • 品牌/商标：

    ME

  • 封装：

    TO-220F

  • 批号：

    全新原装

  • 电压：

    600V

NCE70T360D高压场效应管价格
NCE70T360D高压场效应管价格
  • 型号/规格：

    NCE70T360D

  • 品牌/商标：

    NCE新洁能

  • 封装形式：

    TO-263 TO-220 TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

原装ST 高压场效应管13NM60N
原装ST 高压场效应管13NM60N
  • 品牌：

    ST

  • 型号：

    13NM60N

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    混批

开关电源高压场效应管（HV PowerMOSFET)NK4N60
开关电源高压场效应管（HV PowerMOSFET)NK4N60
  • 型号/规格：

    NK4N60

  • 品牌/商标：

    nanker

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

高压场效应管6R099C6 IPA60R099C6 进口原装
高压场效应管6R099C6 IPA60R099C6 进口原装
  • 品牌：

    nfineon

  • 类别：

    分立半导体产品

  • 型号：

    IPA60R099C6

  • 参数：

    -

【华强实体店】直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
【华强实体店】直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF8N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流：

    7500

杭州士兰高压场效应管SVF10N65F.
杭州士兰高压场效应管SVF10N65F.
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格：

    SVF10N65F

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    13+

  • 属性：

    属性值

品牌代理：直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
品牌代理：直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF8N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形：

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

  • 姚淳杰

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东深圳

    • 手机：13760337659

专营AO系列高压场效应管 低压MOS管 AO6704 *原装，*十
专营AO系列高压场效应管 低压MOS管 AO6704 *原装，*十
  • 批号：

    12+

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型：

    通信IC

  • 型号/规格：

    AO6704 AO6415 AO6419

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标：

    AO

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

原装仕兰　高压场效应管　 SVF7N65　TO-220F
原装仕兰　高压场效应管　 SVF7N65　TO-220F
  • 品牌/商标：

    SL

  • 型号/规格：

    SVF7N65

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

比亚迪高压场效应管MOS管4N60/6N60/8N60/...
比亚迪高压场效应管MOS管4N60/6N60/8N60/...
  • 品牌：

    比亚迪(BYD)

  • 型号：

    BF96N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

场效应管BF92N60 比亚迪高压场效应管 凯泰电子代理
场效应管BF92N60 比亚迪高压场效应管 凯泰电子代理
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    BF92N60

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    比亚迪

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

优质12A500V高压场效应管K3586/2SK3586
优质12A500V高压场效应管K3586/2SK3586
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2sk3586/k3586

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IRFP22N60K、IR原装、高压场效应管
IRFP22N60K、IR原装、高压场效应管

    品牌:IR 型号:IRFP22N60KPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道IR原装，U=600V，I=22A，RDS=280毫欧，TO-247。实物拍摄，如有需要请致电...

    【华强实体店】高压场效应管 FQPF10N60C/FQPF10N60/10N60
    【华强实体店】高压场效应管 FQPF10N60C/FQPF10N60/10N60
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      FQPF10N60C

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    • 开启电压：

      2-4（V）

    批发高压场效应管POWER MOSFET MOS
    批发高压场效应管POWER MOSFET MOS

      特色标志:新品 品牌:TS 型号:TSN1N60 封装:TO-92 *限电压:600（V） *限电流:0.3（A） 用途:充电器。HID 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型代理：日本松木低压MOS管系列，韩国TS高压系列MOS管。台湾震...

      厂家推荐*MOS 800V高压场效应管 10N80
      厂家推荐*MOS 800V高压场效应管 10N80
      • 品牌/商标：

        UTC(台湾友顺）

      • 型号/规格：

        10N80

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      2SK3565高压场效应管
      2SK3565高压场效应管
      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 型号/规格：

        2SK3565

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 品牌/商标：

        TOSHIBA/东芝

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式：

        增强型

      比亚迪高压场效应管MOS管4N60/6N60/8N60/...
      比亚迪高压场效应管MOS管4N60/6N60/8N60/...
      • 品牌：

        比亚迪(BYD)

      • 型号：

        BF96N60

      品牌/商标 比亚迪(BYD) 型号/规格 BF96N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -（V） 夹断电压 -（V） 跨导 -（&...

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