您是不是要找： 功率场效应管 低压场效应管 MOSFET场效应管 I/O模块 IRF730场效应管 P沟道MOS场效应管
拆机 场效应 大功率三*管 大电流场效应管 高压场效应管
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TO252 TO220 TO* TO247
无铅*型
直插式
散装
大功率
电话：0754-84495998
手机：18948024999
ST/意法
STB21NM60ND
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
手机：
0
ALGaAS铝镓砷
结型(JFET)
G40N60B3D
CER-DIP/陶瓷直插
FAIRCHILD/*童
A/宽频带放大
N沟道
手机：
FUJI/富士通
2SK2003
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机：13342712478
IR/国际整流器
IRFBC30
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话：0754-84495862
INFINEON/英飞凌
11N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话：0754-82201262
TOSHIBA/东芝
K1377，2SK1377
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
*（V）
*（V）
*（μS）
电话：754-84497561
品牌:INFINEON 型号:SPB03N60S5 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:45（&...
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