Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。　　Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管　　跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A 电流以及 npn 和 pnp 极性。　　该公司表示：“与 SOT89 相比，DFN2020D-3 封装器件的...

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更...

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供...

瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。　　瑞萨电子表示：“随着此次收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计，以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。”　...

该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)（下表），针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz...

碳化硅元件　　与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术，SiC 增强型 MOSFET 得到了英飞凌、Rohm、Microsemi 等重量级公司的支持，SiC IGBT 和 BT 也在开...

当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载，这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此，除非驱动器可以提供几...

Si MOSFET 正常工作的驱动电路。　　关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。　　基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电，但这不是恒定的。　　当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体...