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MOS行业资讯

  • Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型

    日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...

  • 共模半导体推出5V精密CMOS运算放大器GM45012

    运算放大器GM45012  GM45012 是双路的轨到轨输入和输出,单电源供电的运算放大器。它具有非常低的失调电压,低输入电压(2.7V-5.5V)和电流噪声,以及宽信号带宽。  GM45012的应用范围包括光学控制回路、便携式和环路供电仪器仪表,以及便携设备中的音频...

  • Rohm 车载Nch MOSFET10种型号、3种封装

    常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化。  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2。RF9x120BKFRARQ3...

  • Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS S7T...

  • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

    Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...

MOS技术资料

  • Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用

    作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...

  • 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

  • MOS管的四种类型

    1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...

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