PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，最大限度地提高了雪崩坚固性，采...

强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET，此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低电容，确保了最低的导...

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。　　　贸...

随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动...

我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果：经过团队的不懈努力和深入研究，我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异，已经在Tier1开始正式送样，调试开发。　　这一创新成果不仅彰显了圭步微电子在高性...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。　　二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...

开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...