半导体MIRAI项目的子项目组通过标准的MOS制造工艺（Gate-firstProcess，先加工栅极工艺）开发成功了等效氧化层厚度（EOT）为0.5nm的极薄型MOS场效应管（演讲序号20.2）。通过在栅叠层（GateStack）上使用高介电率（

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（

场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管的工...

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘...

MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。 增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型...