MAGNACHIP美格纳
MDP8N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
P-DIT/塑料双列直插
HEMT高电子迁移率
手机:13712812287
MDP4N60TH
P-DIT/塑料双列直插
美格纳MAGNACHIP
MOS-FBM/全桥组件
M*金属半导体
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:13827278058
Vishay/威世通
SIR158DP
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D/变频换流
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
Vishay/威世通
sir462dp
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CHIP/小型片状
电话:86 0769 89784790
手机:13712719704
美格纳
MDF4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0769-85357955
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...