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东芝MOS管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    TK50E06K3

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA

型号:TK50E06K3 品牌:TOSHIBA 封装: TO220 批号: 11+ 数量:50000 备注:全新原装现货,以优势说话!! TK50E06K3在60v-100v的MOSFET系列中增加了标准T0-220封装的六个新型号,它们通过沟道技术的第四代工艺加工而...

  • 型号/规格:

    2SK3797

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 型号/规格:

    TK12A60U

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK4107(F,T)

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 型号/规格:

    TK4A60D

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220SIS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3565

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    Toshiba/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK6A60D

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MAP/匹配对管

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    东芝原装* 开关电源场效应管 2SK2962

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK20A60U

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌:TOS日本东芝 型号:2SK2698 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 漏*电流:10(mA)*,高电压开关应用N沟道MOSFET...

    • 型号/规格:

      2SK2962

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA(东芝)

    • 封装形式:

      TO-92MOD

    • *类别:

      无铅*型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特征:

      大功率

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格:

      2SK2608

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA/东芝

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 品牌/型号:

      TOS日本东芝/2SK2611

    • 种类:

      结型JFET

    • 用途:

      DC/直流

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    • 开启电压:

      0(V)

    • 夹断电压:

      0(V)

    • 跨导:

      0(μS)

      品牌/商标 TDK 型号/规格 2SK2837 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 *频 *性 PNP型 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 500(MHz) 集电*允许电流ICM 500(A) 集电*耗散...

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 型号/规格:

        2SK2037

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 赵瑞霞

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:0755-29021052

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 型号/规格:

        2SK2996,2SK2611,2SK2608,2SK2690,2SK2231,2SK2837

      • 种类:

        绝缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        MAP/匹配对管

      • 封装外形:

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料:

        GE-N-FET锗N沟道

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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