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进口东芝 TK12A60U 12A 600V MOSFET 场效应管TK12A60U 原装现货东芝MOS管TK12A60U

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进口东芝  TK12A60U   12A 600V  MOSFET 场效应管TK12A60U 原装现货东芝MOS管TK12A60U
  • 型号/规格:

    TK12A60U

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

普通会员
  • 企业名:深圳智联伟业电子科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-82520572

    手机:13922881519

    联系人:王先生

    QQ: QQ:84041892

    邮箱:zlwydz@gmail.com

    地址:广东深圳福田区中航路都会100大厦B座30L

产品分类
商品信息

参数介绍:

产品型号:TK12A60U

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):12

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):1700 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69

导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.

上升时间Tr(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管

部件型号 TK12A60U  
极性 N沟  
漏源电压VDSS 600 V  
漏电流ID 12 A  
漏功耗PD 35 W  
门电荷总数Qg(nC) (标准) 14  
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V 0.4 Ω  
封装 TO-220SIS  
管脚数 3  
表面安装型 N  
产品分类 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V)  
装配基础 日本, 马来西亚
RoHS Compatible Product(s) (#)



本公司大量供应东芝系列MOS管,原装进口现货,欢迎选购!

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TK15A50D     15A/500V     TO-220F12+

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TK4A60DA     4A/600V           TO-220F12+

TK6A60D      6A/600V      TO-220F 12+

TK8A60DA     8A/600V      TO-220F12+

TK10A60D     10A600V      TO-220F 12+

TK11A60D     11A/600V      TO-220F  11+

TK12A60U     12A/600V     TO-220F12+

TK12A60D     12A/600V     TO-220F13+

TK13A60D     13A/600V     TO-220F12+

TK13A60DR   13A/600V      TO-220F12+

TK15A60D    15A/600V      TO-220F 12+

TK15A60U    15A/600V      TO-220F 12+

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