摘要:简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词:电力半导体模块;智能晶闸管模块;IGBT模块;IGBT智能模块一种新型器件的诞生往往使整
摘要:简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词:电力半导体模块;智能晶闸管模块;IGBT模块;IGBT智能模块引言一种新型器件的诞生往往
di/dt--通态电流临界上升率ITSM—通态(不重复)浪涌电流dv/dt—断态电压临界上升率Rth(c-h)—底板与散热器之间的接触热阻f----工作频率Rth(j-c)—结壳(铜底板)热阻ID---桥式电路直流输出电流Rth(h-a)—散热
电力半导体模块符号和术语说明:di/dt--通态电流临界上升率ITSM—通态(不重复)浪涌电流dv/dt—断态电压临界上升率Rth(c-h)—底板与散热器之间的接触热阻f----工作频率Rth(j-c)—结壳(铜底板)热阻ID---桥式电路最大直流