X-FAB增强其180nm高压CMOS技术产品组合中的车用嵌入式闪存产品
公认的卓越的模拟/混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已为其XP018高压（HV）车用产品工艺推出全新闪存功能。这款新的闪存IP利用X-FAB得到广泛验证的氮化硅氧化物（SONOS）技术——该...
分类：名企新闻 时间：2021/5/14 阅读：677 关键词：X-FAB
图像传感器可说是电子产品的眼睛，可为各种应用提供机器视觉，虽说这已不是新鲜的产品，但其相关技术仍在持续演进当中。 世界上块CCD图像传感器在1970年诞生于贝尔实验室，此后很长一段时间CCD主导着图像传感器市场。CMOS图像传感器...
分类：业界动态 时间：2019/1/2 阅读：869 关键词：CMOS技术
Synopsys - 2018先进CMOS技术暑期大师班隆重开幕
中国 北京——大芯片自动化设计解决方案提供商及大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码： SNPS ）宣布，继去年联合主办季“先进CMOS技术暑期大师班”后，由IEEE电路与系统学会（C...
分类：业界动态 时间：2018/10/27 阅读：620 关键词：CMOS技术
Mentor，A Siemens Business宣布赞助高级CMOS 技术冬季大师班。高级 CMOS 技术冬季大师班由 IEEE 电路与系统学会（CASS）和 IEEE 固态电路学会（SSCS）共同举办。1月21日至26日，每天邀请一位来自集成电路领域学术界或工业界的专家进行主...
分类：名企新闻 时间：2018/3/12 阅读：468
优质、准确的成像正成为越来越多不同应用中的一个重要要求。从弱光到高亮等光照条件下捕捉动态场景是此扩张市场的的挑战。的典型应用包括无人机、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)。 CMOS成像传感器采用全球快门技术，令成像器可捕捉到在...
分类：业界动态 时间：2017/12/23 阅读：539
硅基CMOS技术是当今大多数电子产品依赖的主要技术。然而，为了电子行业的进一步发展，新技术必须开发具有能将CMOS与其他半导体器件集成的能力。欧洲的一项研究计划石墨烯旗...
大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz系统满...
分类：新品快报 时间：2017/5/22 阅读：405 关键词：传感器
日本佳能（CANON）公司12月19日正式宣布完成了对东芝的医疗器械子公司“东芝医疗系统”的收购，总的收购金额达到了惊人的6655亿日元(56亿美金)。虽然富士胶片控股公司等实...
分类：业界动态 时间：2016/12/30 阅读：470 关键词：CMOS
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III-V族纳米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物...
分类：业界要闻 时间：2016/3/9 阅读：625 关键词：CMOS
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2010IEEEInterna
时间：2017/5/18 阅读：
2007年11月28日，冲电气工业（OKI）宣布，将于本月开始，批量供应能感知紫外线(UV)的传感器IC“ML8511”。同时还计划今年面向香港及中国大陆市场销售10万个以上该商品。 “ML8511”的应用例（便携式装饰品的试制品） “ML8511”评估板 ...
新品速递 时间：2007/11/30 阅读：1614
OKI生产世界首款采用SOI-CMOS技术的UV传感器IC“ML8511”
冲电气工业（OKI）宣布，将于本月开始，批量供应能感知紫外线(UV)的传感器IC“ML8511”。同时还计划今年面向香港及中国大陆市场销售10万个以上该商品。 “ML8511”的应用例...
新品速递 时间：2007/11/29 阅读：1451
摘要：在对离子敏场效应晶体管（ISFET）基本结构及电学特性分析的基础上，提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明，所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路形式能够抑制“温漂”...
设计应用 时间：2007/8/1 阅读：2550
超高速度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术
1.技术概览： 第三代完全电介质绝缘的互补 SiGe BiCMOS 工艺 (BiCom3) 针对超高速高模拟集成电路而设计。上述器件的工作电压为 5V，可在广泛的温度范围内工作，其 fT 的范围为 15-20 GHz，fmax 的值则达 40-50 GHz 的范围，并最小...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：47
