X-FAB增强其180nm高压CMOS技术产品组合中的车用嵌入式闪存产品
公认的卓越的模拟/混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已为其XP018高压（HV）车用产品工艺推出全新闪存功能。这款新的闪存IP利用X-FAB得到广泛验证的氮化硅氧化物（SONOS）技术——该...
分类：名企新闻 时间：2021/5/14 阅读：679 关键词：X-FAB
图像传感器可说是电子产品的眼睛，可为各种应用提供机器视觉，虽说这已不是新鲜的产品，但其相关技术仍在持续演进当中。 世界上块CCD图像传感器在1970年诞生于贝尔实验室，此后很长一段时间CCD主导着图像传感器市场。CMOS图像传感器...
分类：业界动态 时间：2019/1/2 阅读：872 关键词：CMOS技术
Synopsys - 2018先进CMOS技术暑期大师班隆重开幕
中国 北京——大芯片自动化设计解决方案提供商及大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码： SNPS ）宣布，继去年联合主办季“先进CMOS技术暑期大师班”后，由IEEE电路与系统学会（C...
分类：业界动态 时间：2018/10/27 阅读：624 关键词：CMOS技术
Mentor，A Siemens Business宣布赞助高级CMOS 技术冬季大师班。高级 CMOS 技术冬季大师班由 IEEE 电路与系统学会（CASS）和 IEEE 固态电路学会（SSCS）共同举办。1月21日至26日，每天邀请一位来自集成电路领域学术界或工业界的专家进行主...
分类：名企新闻 时间：2018/3/12 阅读：472
优质、准确的成像正成为越来越多不同应用中的一个重要要求。从弱光到高亮等光照条件下捕捉动态场景是此扩张市场的的挑战。的典型应用包括无人机、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)。 CMOS成像传感器采用全球快门技术，令成像器可捕捉到在...
分类：业界动态 时间：2017/12/23 阅读：544
硅基CMOS技术是当今大多数电子产品依赖的主要技术。然而，为了电子行业的进一步发展，新技术必须开发具有能将CMOS与其他半导体器件集成的能力。欧洲的一项研究计划石墨烯旗...
大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz系统满...
分类：新品快报 时间：2017/5/22 阅读：407 关键词：传感器
日本佳能（CANON）公司12月19日正式宣布完成了对东芝的医疗器械子公司“东芝医疗系统”的收购，总的收购金额达到了惊人的6655亿日元(56亿美金)。虽然富士胶片控股公司等实...
分类：业界动态 时间：2016/12/30 阅读：472 关键词：CMOS
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III-V族纳米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物...
分类：业界要闻 时间：2016/3/9 阅读：630 关键词：CMOS
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2010IEEEInterna
在半导体制造技术相关国际会议“2010IEEEInternationalElectronDevicesMeeting（IEDM2010）”开幕前一天的2010年12月5日，举行了一场以“15nmCMOSTechnology”为题的短讲座...
分类：业界要闻 时间：2010/12/13 阅读：1335 关键词：CMOS
逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔...
Diodes公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx系列采用先进的5VCMOS技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个的标准逻辑功能并设有SOT25和SOT353两种封装选择。74LVCE1Gxx系列则是提供
东芝采用扭曲硅直接键合技术为下一代CMOS技术实现更高的空穴迁移率
据美国商业资讯网站报道，东芝公司日前宣布，它与IBM公司合作开发出一种更高性能的CMOS场效应晶体管（FET），该技术是先进系统大规模集成电路（LSI）的。新技术能满足别的性能需求，并为工艺技术的进一步发展开辟了道路。东芝和IBM公司是...
分类：业界要闻 时间：2008/6/23 阅读：1116 关键词：CMOS
富士通开发出32nm工艺CMOS技术 nMOS不使用金属栅极降低成本
据日经BP社报道，富士通研究所与富士通微电子联合开发出了能够以低成本制造32nm工艺CMOS的方法。该方法只在pMOS中导入通过完全硅化（FUSI）形成的金属栅极。因追加工序而增加的成本不足1％。与45nm工艺相比，CMOS高速版的耗电量可减少20
