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瑞萨推出超小尺寸多次可配置GreenPAK IC, 采用超紧凑型WLCSP及STQFN封装

瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出SLG46801,这是一款提供WLCSP及STQFN封装的GreenPAK可配置混合信号器件。该9焊球WLCSP封装尺寸仅为1.155mm × 1.155mm,将超小型封装与...

分类:新品快报 时间:2026/9/29 阅读:3175 关键词:瑞萨

Anthropic发布Claude Sonnet 5.5,速度提升三成、成本最高可省三成

Anthropic推出Claude Sonnet 5.5。这是继一周前旗舰Opus 5.5之后,Claude 5.5家族的第二款模型。从“Anthropic到OpenAI到谷歌”的迭代节拍看,9月底前沿大模型进入加速段。...

分类:新品快报 时间:2026/9/29 阅读:3197 关键词:Anthropic

深天马独家供应OLED屏,荣耀推出Magic9标准版手机

荣耀召开新品发布会,推出Magic9标准版手机。当日,深天马发文确认该款手机OLED屏幕由其独家定制。  本次荣耀Magic9系列全系采用2.5D直屏设计,其中标准版搭载6.37英寸大...

分类:名企新闻 时间:2026/9/29 阅读:2664 关键词:深天马

Infineon-英飞凌EiceDRIVER 2EDL6014AC-G2D双通道栅极驱动器,支持AI数据中心电源设计实现高功率密度与出色的热性能

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布推出EiceDRIVER 2EDL6014AC-G2D,这款采用结隔离(junction-isolated)技术打造的120 V双通道浮地输出栅极驱动器,支持在AI数据中心应用场景中采用硅基功率器件实现高功率密度的...

时间:2026/9/29 阅读:94 关键词:Infineon

Lattice-莱迪思荣获第七届AutoSec&RoboSec Awards安全之星“2026年度汽车网络安全技术创新奖”

低功耗可编程器件及平台固件领域的领先供应商莱迪思半导体(Lattice Semiconductor,NASDAQ:LSCC)今日宣布,旗下Lattice EMS(外部监控系统)解决方案荣获第七届AutoSec&RoboSec Awards安全之星“2026年度汽车网络安全技术创新奖”...

时间:2026/9/28 阅读:24 关键词:Lattice

ROHM-罗姆SiC功率器件助力宝马新世代“Neue Klasse”电动动力总成

全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其功率半导体解决方案已用于全球顶级汽车制造商宝马的电动汽车平台。在宝马提出的新世代电动平台“Neue Klasse”中,罗姆的SiC功率器件将助力电动动力总成系统进一步实现更高的...

时间:2026/9/28 阅读:35 关键词:ROHM

Cadence Tensilica IP赋能Analog Devices新一代DSP架构

增强型DSP架构性能相比上一代ADSP处理器内核提升5倍  楷登电子(美国Cadence公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布Tensilica IP事业部与Analog Devices,Inc.(ADI)携手合作,共同开发最新一代SHARC汽车音频处理器,进一步巩固ADI在高端车载音频...

时间:2026/9/28 阅读:34 关键词:Cadence

Morse Micro-摩尔斯微电子加入Zephyr项目,为增长最快的实时操作系统(RTOS)拓展连接选项

摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow软件现已面向Zephyr开放,Zephyr是嵌入式设备领域应用最广泛的开源实时操作系统之一  全球领先的Wi-Fi HaLow芯片供应商摩尔斯微电子,今日宣布加入Zephyr项目。通过加入Zephyr项目,摩尔斯微电子将使自有Wi-F...

时间:2026/9/28 阅读:79

Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”,进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅(SiC...

时间:2026/9/28 阅读:146 关键词:Toshiba

Mouser-贸泽备货Nordic Semiconductor连接解决方案新品

专注于推动行业创新的知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)供应Nordic Semiconductor的全系列授权产品。该公司是低功耗、高性能无线技术和开发工具的知名制造商。自2011年以来,贸泽与Nordic Semiconductor的代理合作伙...

时间:2026/9/28 阅读:85 关键词:Mouser

IC技术

CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe,而NOMS要加入SiC?

在先进CMOS制程迭代过程中,当工艺节点迈入90nm及以下,单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭,短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能,业界...

基础电子 时间:2026/9/9 阅读:577

SiC 器件准静态 CV 测量新思路:恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷

电容电压(CV)测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段,在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据,能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等众...

基础电子 时间:2026/8/26 阅读:149

支持多轨电源时序控制与高可靠性的现代电源管理 IC

在当今复杂且对精度要求极高的电子系统中,电源管理集成电路(PMIC)扮演着至关重要的角色。早期的 PMIC 主要功能是监控各电源轨电压,确保其维持在额定公差范围内,同时防...

设计应用 时间:2026/8/21 阅读:408

SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径:用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷

在半导体材料和器件制造过程的分析中,电容 - 电压(C - V)测量是一种极为重要的手段,尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体(MOS)方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中,我...

设计应用 时间:2026/8/14 阅读:238

Pickering 推出 LXI 大电流开关系列,支持最高 80A、300V 信号

Pickering Interfaces 宣布推出 60-191 LXI 大电流与感测 SPST 开关系列。作为 Pickering 迄今为止电流容量最高的开关产品,该全新系列可切换最高 80A、300V 的信号,同时...

新品速递 时间:2026/8/7 阅读:400

深度解析:LED 照明领域无电感高压线性驱动 IC - WD10 - 3111

在 LED 照明技术不断发展的当下,如何实现高效、稳定且低成本的驱动方案成为了行业关注的焦点。高压线性 LED 驱动 IC 凭借其独特的优势,在 LED 照明领域得到了广泛应用。...

设计应用 时间:2026/8/7 阅读:425

常见总线:IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO

在电子系统中,总线是连接各个部件的重要桥梁,它负责在不同设备之间传输数据和控制信号。常见的总线类型有 IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO 等,它们各自具有独特的特点和应用场景。深入了解这些总线的工作原理和特性,对于...

基础电子 时间:2026/8/4 阅读:224

SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解

在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下,SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻,作为目前应用最广泛的低成本...

设计应用 时间:2026/8/3 阅读:298

深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术

在提高 SiC 功率器件性能方面,器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能,该器件需要在低电阻率的 ...

设计应用 时间:2026/7/28 阅读:233

IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同

双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”,在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标,而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...

全部 时间:2026/7/27 阅读:263

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