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CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe,而NOMS要加入SiC?

在先进CMOS制程迭代过程中,当工艺节点迈入90nm及以下,单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭,短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能,业界...

基础电子 时间:2026/9/9 阅读:576

SiC 器件准静态 CV 测量新思路:恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷

电容电压(CV)测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段,在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据,能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等众...

基础电子 时间:2026/8/26 阅读:147

支持多轨电源时序控制与高可靠性的现代电源管理 IC

在当今复杂且对精度要求极高的电子系统中,电源管理集成电路(PMIC)扮演着至关重要的角色。早期的 PMIC 主要功能是监控各电源轨电压,确保其维持在额定公差范围内,同时防...

设计应用 时间:2026/8/21 阅读:407

SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径:用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷

在半导体材料和器件制造过程的分析中,电容 - 电压(C - V)测量是一种极为重要的手段,尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体(MOS)方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中,我...

设计应用 时间:2026/8/14 阅读:236

Pickering 推出 LXI 大电流开关系列,支持最高 80A、300V 信号

Pickering Interfaces 宣布推出 60-191 LXI 大电流与感测 SPST 开关系列。作为 Pickering 迄今为止电流容量最高的开关产品,该全新系列可切换最高 80A、300V 的信号,同时...

新品速递 时间:2026/8/7 阅读:398

深度解析:LED 照明领域无电感高压线性驱动 IC - WD10 - 3111

在 LED 照明技术不断发展的当下,如何实现高效、稳定且低成本的驱动方案成为了行业关注的焦点。高压线性 LED 驱动 IC 凭借其独特的优势,在 LED 照明领域得到了广泛应用。...

设计应用 时间:2026/8/7 阅读:423

常见总线:IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO

在电子系统中,总线是连接各个部件的重要桥梁,它负责在不同设备之间传输数据和控制信号。常见的总线类型有 IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO 等,它们各自具有独特的特点和应用场景。深入了解这些总线的工作原理和特性,对于...

基础电子 时间:2026/8/4 阅读:224

SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解

在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下,SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻,作为目前应用最广泛的低成本...

设计应用 时间:2026/8/3 阅读:297

深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术

在提高 SiC 功率器件性能方面,器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能,该器件需要在低电阻率的 ...

设计应用 时间:2026/7/28 阅读:228

IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同

双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”,在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标,而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...

全部 时间:2026/7/27 阅读:262