ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模...
时间：2025/5/19 阅读：96 关键词：ROHM
ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性，可以控制不同功率等级的逆变器，具备可编程保护和诊断功能，允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：4701 关键词：栅极驱动器
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的...
分类：新品快报 时间：2024/8/14 阅读：393 关键词：MOSFETs
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：364 关键词：碳化硅MOSFET
Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs...
分类：新品快报 时间：2023/4/17 阅读：211 关键词： FETs
Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全...
分类：新品快报 时间：2023/3/28 阅读：604 关键词： TOLL
Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLLMOSFETs
Diodes公司(Nasdaq：DIOD)为金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)推出节省空间、高热效率的TOLL(PowerDI?1012-8)封装，能在175?C、100瓦等级的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5S...
分类：新品快报 时间：2021/11/19 阅读：1905
Nexperia正式独立，聚焦分立、逻辑与MOSFETs器件
日前，前身为恩智浦(NXP)标准产品业务的Nexperia今天宣布，该公司已正式成为一家独立公司。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，在北京建广资产管理有限公司以及WiseRoadCapitalLTD（简称：智路资本）联合投资下，拥有前恩智浦部门所
分类：名企新闻 时间：2017/2/10 阅读：574 关键词：Nexperia
Vishay推出功率MOSFETSi7633DP与Si7135DP
日前，VishayIntertechnology,Inc.日前宣布推出新型20V和30Vp通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内的导通电阻。现有的
分类：新品快报 时间：2008/12/25 阅读：1480 关键词：Vishay
Vishay推出采用TurboFET技术MOSFETSiS426DN和SiR496DP
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低
分类：新品快报 时间：2008/12/8 阅读：334 关键词：Vishay
2022 年 12 月 6 - 7 日，中国电工技术学会低压电器专业委员会第二十一届学术年会、第十七届中国智能电工技术论坛暨固态新型断路器技术发展及应用国际研讨会（第二季）于江苏常州顺利召开。作为一场行业盛会，该会议主要围绕固态/混合式...
基础电子 时间：2022/12/29 阅读：1293
