全球微电子产业标准领导机构JEDEC固态技术协会于美国时间9月25日发布广为业界期待的DDR4内存标准。JEDECDDR4(JESD79-4)内存标准的制定旨在提高性能与可靠性的同时降低功耗。因此，相较于此前的DRAM内存技术，DDR4代表着实质性
分类：政策标准 时间：2012/10/8 阅读：606 关键词：存储器
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP
新思科技公司(Synopsys,Inc)日前宣布：其DesignWareDDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，Design
6月30日消息，据外媒报道，据全球的电子制造领域市场研究机构iSuppli表示，DDR3模组仍是2011年的主导DRAM技术，而且在更快的下一代版本问世之前，仍有几年好光景。DDR3DRAM约占目前DRAM市场的85％至90％，至2013年将成
分类：行业趋势 时间：2011/6/30 阅读：828
海力士半导体(Hynix)表示，已开发出符合国际半导体标准会议机构(JEDEC)规格的30纳米2Gb次世代DDR4DRAM。新开发的DDR4DRAM为业界首创在1.2V低电压下，提供2,400Mbps超高速信息传输速度，较DDR31,333Mbps
分类：新品快报 时间：2011/4/7 阅读：240 关键词：DRAM
太阳能、LED等多晶硅生产技术暨蓝宝石和硅晶生长系统供货商GTSolar公司，日前推出用于生产高纯度多晶硅的下一代CVD(化学气相沉积)反应器SDR400。SDR400反应器每年可以生产400多公吨多晶硅，与前一代反应器SDR300相比，SDR40
分类：新品快报 时间：2011/2/15 阅读：1856 关键词：反应器
1月5消息，据国外媒体报道，三星电子星期二称，它已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。三星电子在声明中称，它将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4DRAM内存模块。目前DRAM内存行业...
分类：业界要闻 时间：2011/1/5 阅读：1656
三星电子今天宣布，已经完成了历史上款DDR4DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日，DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz
分类：新品快报 时间：2011/1/4 阅读：203 关键词：DRAM
奇梦达跳过GDDR4，推动GDDR5为下一个主流绘图DRAM标准
就在GDDR4市场还在起步之际，奇梦达公司(Qimonda)已就决定跳过此一标准，直接推动GDDR5成为下一代的绘图内存标准，而其产品将于明年初量产上市。奇梦达公司绘图产品事业部副总裁RobertFeurle表示，过去几年来，随着绘图性能需求的提升
分类：名企新闻 时间：2007/7/6 阅读：793
以“多重动力，携手创新”为主题的英特尔2007年首场信息技术峰会（IntelDeveloperForum，简称IDF）于昨天在北京国际会议中心正式开幕。今年是英特尔次将年度首场IDF选在美国之外举行，也是在中国举办的规模的一次峰会。在展会上
分类：新品快报 时间：2007/4/18 阅读：792 关键词：DDR3
2月24日消息，据国外媒体报道，三星电子公司正在采用一种更先进的生产方法，以推动图形内存芯片达到更高速度。全球芯片制造商之一的三星公司周五称，公司已设法使GDDR4(graphicsdoubledatarate4)内存芯片的运行速度达到4Gbp
分类：业界要闻 时间：2007/3/2 阅读：246
日前，三星电子公司正在采用一种更先进的生产方法，已设法使GDDR4(graphicsdoubledatarate4)内存芯片的运行速度达到4Gbps。三星公司称，新芯片的速度要比现在最快的GDDR4芯片增加了三分之二，现在最快的GDDR4的时钟频率
分类：名企新闻 时间：2007/2/26 阅读：1002
【eNet硅谷动力消息】2月24日消息，据国外媒体报道，三星电子公司正在采用一种更先进的生产方法，以推动图形内存芯片达到更高速度。全球芯片制造商之一的三星公司周五称，公司已设法使GDDR4(graphicsdoubledatarate4)内存芯
分类：新品快报 时间：2007/2/25 阅读：904
Elpida三星为PS3造XDR内存 比DDR400快12倍
Elpida和三星在两份单独的声明中分别表示，他们将为索尼的PS3游戏机供应XDR内存模块。Elpida和三星都将为索尼提供512MB的XDR内存。三星声称他们将首先提供90纳米的单元。而Elpida则没有提供更多有关的详细信息。三星表示，512M
分类：业界要闻 时间：2006/7/28 阅读：1053 关键词：Elpida
大内存厂商三星宣布成功试产下一代绘图用内存GDDR4颗粒，并已送给主要显示卡生产商作试产用途，GDDR4全名为GraphicsDoubleDataRate4thGeneration，产品序号为K4U55323QG-BC08速度为-0.8ns
分类：业界要闻 时间：2006/3/29 阅读：346
Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM，每秒处理11.6GB数据
HynixSemiconductor公司日前宣布推出据称是世界上速度最快、密度的图形存储器——512Mb容量的第四代图形DDR(GDDR4)DRAM。该公司计划为图形芯片组供应商提供该芯片的样口，并于2006年初批量生产这种芯片。Hynix介绍
分类：新品快报 时间：2005/12/16 阅读：955 关键词：DRAM
