三星正在生产行业首款采用20纳米工艺制造的12GBLPDDR4移动DRAM芯片。ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy在EETime的邮件采访中说：“三星在LPDDR4上推出新的芯片密度这事...
分类：名企新闻 时间：2015/9/17 阅读：638
WPG - 大联大友尚集团推出基于ST产品的DDR3/DDR4服务器内存模块温度管理解决方案
2015年5月12日，致力于亚太地区市场的半导体元器件分销商---大联大控股<http://www.wpgholdings.com/>宣布，其旗下友尚推出基于STSTTS2002B2DN3F和STTS2004B2DN3F的服务器内存
SK海力士(SKhynix)追上记忆体龙头三星电子(SamsungElectronics)进度，9日宣布量产LPDDR4，已经供货给LG电子(LGElectronics)的旗舰智能。韩联社9日报导，SK海力士表示，该公...
分类：名企新闻 时间：2015/2/13 阅读：714
Altera公司(Nasdaq:ALTR)今天宣布，在硅片中演示了DDR4存储器接口，其工作速率是业界的2,666Mbps。Altera的Arria10FPGA和SoC是目前业界能够支持这一速率DDR4存储器的FPGA，存储器性能比前一代F
三星电子宣布，已经成功量产了个8Gb（1GB）容量的新一代LPDDR4移动内存颗粒，并采用了该公司的20nm工艺。这样的颗粒只需要4颗，就能组成4GB内存芯片，用于智能手机，而随着64位ARM架构、安卓5.0的相继投入实用，4GB内存也
分类：新品快报 时间：2014/12/23 阅读：682
储器品牌威刚科技(ADATA)宣布全线DDR4存储器模组皆支援Intel?Haswell-EP系列处理器，并将于IDF2014进行展示。威刚DDR4存储器模组提供了各式装置的解决方案，包括服务器、工作站以及电玩系统，为全球的消费者、企业与工业装置，
分类：名企新闻 时间：2014/9/10 阅读：612
DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NANDFlash快闪记忆体也跨入1x奈米制程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容
Molex更新DDR4DIMM插座提供多种改进实现更高的灵活性和可靠性高速服务器内存应用获益于插座类型和制造材料的改进(新加坡–2014年7月31日)Molex公司现推出DDR4DIMM插座产品，具有气动及标准两种型款，为设计工程师提供更多的选项和
分类：新品快报 时间：2014/8/3 阅读：418 关键词：Molex
IDT宣布，其DDR4寄存器发货量已超过1百万件，这是由于即将发布的IntelXeon处理器E5-2600v3平台对下一代DRAM模块的需求增长而引致的必然结果。IDT的DDR4寄存器是芯片组的一部分，芯片组还包括数据缓冲器和带串行存在检测(SPD
分类：业界动态 时间：2014/7/29 阅读：983 关键词：DRAM
Microchip推出用于DDR4 SDRAM模块的4 Kb串行存在检测EEPROM器件
全新SPDEEPROM器件旨在迎合PC和笔记本电脑市场的DDR4标准全球的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商--MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）宣布推出新一代4KbI2C?串行存在检测
分类：名企新闻 时间：2014/5/8 阅读：455 关键词：Microchip
据韩联社消息，三星电子表示已开始量产超高速内存——20纳米级16GBDDR4模块，并计划加快进军企业服务器市场的步伐。20纳米级16GBDDR4DRAM产品体积世界最小，处理速度可达2667Mb/s，和DDR3DRAM相比，耗电量减少30%以上
分类：新品快报 时间：2013/9/5 阅读：1310
全球微电子产业标准领导机构JEDEC固态技术协会于美国时间9月25日发布广为业界期待的DDR4内存标准。JEDECDDR4(JESD79-4)内存标准的制定旨在提高性能与可靠性的同时降低功耗。因此，相较于此前的DRAM内存技术，DDR4代表着实质性
分类：政策标准 时间：2012/10/8 阅读：598 关键词：存储器
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP
新思科技公司(Synopsys,Inc)日前宣布：其DesignWareDDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，Design
6月30日消息，据外媒报道，据全球的电子制造领域市场研究机构iSuppli表示，DDR3模组仍是2011年的主导DRAM技术，而且在更快的下一代版本问世之前，仍有几年好光景。DDR3DRAM约占目前DRAM市场的85％至90％，至2013年将成
分类：行业趋势 时间：2011/6/30 阅读：824
海力士半导体(Hynix)表示，已开发出符合国际半导体标准会议机构(JEDEC)规格的30纳米2Gb次世代DDR4DRAM。新开发的DDR4DRAM为业界首创在1.2V低电压下，提供2,400Mbps超高速信息传输速度，较DDR31,333Mbps
分类：新品快报 时间：2011/4/7 阅读：235 关键词：DRAM
