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三星推80纳米制程移动DRAM明年第二季量产

12月28日消息,继2006年8月三星将80纳米制程的1GbDDRII标准型DRAM进入量产阶段后,27日三星又发布了针对手机与便携式装置推出的80纳米制程DDR存储器芯片,容量为1Gb,体积较前代产品薄20%,耗电量省30%。三星预计在2007年

分类:新品快报 时间:2006/12/29 阅读:1032 关键词:DRAM

尔必达宣布量产70纳米制程DRAM芯片

据路透(Reuters)与BusinessWire报导,日本内存大厂尔必达(Elpida)正式宣布量产70纳米制程的DRAM,其中包括1Gb与512Mb容量的DDRII内存芯片。尔必达预估,2007年季将开始出货,初期产能为每个月数千片晶圆,将

分类:名企新闻 时间:2006/12/27 阅读:753 关键词:DRAM尔必达

尔必达宣布量产70奈米制程DRAM芯片

根据路透与BusinessWire报导,日本内存大厂尔必达正式宣布量产70奈米制程的DRAM,其中包括1Gb与512Mb容量的DDRII内存芯片。尔必达预估,2007年季将开始出货,初期产能为每个月数千片晶圆,将视需求决定是否提高尔必达在日本广

分类:名企新闻 时间:2006/12/27 阅读:890 关键词:DRAM尔必达

联茂推出新一代全方位无铅制程解决方案

联茂电子于2006年12月8日在东莞厚街嘉华大酒店举办了“新一代全方位无铅制程解决方案”说明会。会议由联茂电子集团华南区行销中心副总经理陈郁弼先生向大家介绍了联茂电子集团的基本情况,联茂研发中心副总经理(技术长)陈正益博士为大家...

分类:业界要闻 时间:2006/12/22 阅读:1290

亚智迈入第20年 苏州厂已成中国PCB湿制程设备厂

以生产PCB及FPD湿制程设备为主的亚智科技于今年正式迈入第20个年头,经过不断地成长与蜕变后,目前为国内同时拥有PCB及FPD湿制程设备核心生产技术与丰富交机实绩的设备供应商;同时亚智科技的苏州厂并已成为中国的PCB湿制程设备厂。亚智...

分类:名企新闻 时间:2006/12/5 阅读:1623 关键词:PCB

08年英特尔芯片制程将从65纳米转换到45纳米

天极网12月1日消息(他山石编译)据国外媒体报道,英特尔科技和制造团队技术分析师RobWilloner表示,英特尔计划在2007年后半年发布45纳米处理器后,它的微处理器产品可能将在2008年从65纳米转换到45纳米制程。他证实在美国俄勒冈州英特尔

分类:名企新闻 时间:2006/12/1 阅读:904 关键词:英特尔

联电大跃进!45纳米制程测试芯片成功

继台积电、新加坡特许半导体(CharteredSemiconductor)宣布45纳米制程技术已具相当成熟度,联电也于20日宣布其南科12寸厂12A以浸润式微影技术成功产出45纳米测试芯片,联电对此先进制程研发的大跃进相当振奋。联电宣布的这项成果,

分类:业界要闻 时间:2006/11/22 阅读:741

联电45奈米制程测试晶片成功产出

紧追台积电、特许明年下半与台积电同步试产继台积电(2330)、新加坡特许半导体(CharteredSemiconductor)宣布45奈米制程技术已剧相当成熟度,联电(2303)也于20日宣布其南亚科(2408)12寸厂12A以浸润式微影技术成功产

分类:新品快报 时间:2006/11/21 阅读:300

联电成功为Xilinx试产65奈米制程FPGA芯片

联华电子(UMC)与美商赛灵思(Xilinx)共同宣布,联电为Xilinx生产之65奈米FPGA芯片已开始交货。此新产品与前一世代的FPGA芯片相较,在逻辑容量方面提高了65%,号称拥有业界的闸数,以及大约11亿颗晶体管。此芯片采用了三闸极氧化

分类:名企新闻 时间:2006/11/16 阅读:586 关键词:FPGAXilinx

创意电子:专注先进制程以驱动营收成长

自93年起已累积了33个0.13微米客户投片、5个90纳米客户投片,以及4个65纳米测试芯片投片的创意电子(GlobalUnichip),该公司总经理赖俊豪表示,目前0.13微米以下制程占其营收从2005年的33%,到今年第三季已经成长到53%,他

分类:名企新闻 时间:2006/11/10 阅读:807 关键词:电子

三星量产65奈米制程行动芯片与台积电竞争加剧

消息,三星电子与IBM及新加坡特许半导体继为高通打造90奈米制程行动芯片后,现又量产更细微的65奈米制程芯片,预估与全球晶圆代工龙头台积电的竞争进一步加剧。三星非内存事业部社长权五铉于29日表示,65奈米制程芯片和90奈米制程芯片均...

分类:业界要闻 时间:2006/11/1 阅读:716 关键词:三星

三星量产65奈米制程行动芯片 与台积电竞争加剧

消息,三星电子与IBM及新加坡特许半导体继为高通打造90奈米制程行动芯片后,现又量产更细微的65奈米制程芯片,预估与全球晶圆代工龙头台积电的竞争进一步加剧。三星非内存事业部社长权五铉于29日表示,65奈米制程芯片和90奈米制程芯片均...

分类:业界要闻 时间:2006/10/31 阅读:792 关键词:三星

东芝将导入65奈米制程量产LSI芯片

正当全球半导体大厂英特尔、德仪、台积电等,率先往下一世代65奈米逻辑制程迈进,日系半导体大厂东芝也不落人后,据道琼报导,东芝27日表示,计划在2006年会计年度第四季(2007年1∼3月),导入65奈米制程量产LSI芯片,东芝发言人并...

分类:业界要闻 时间:2006/10/8 阅读:843

三星80纳米DRAM制程出问题调8英寸厂救援

9月25日消息,大DRAM制造商三星电子(SamsungElectronics)原预期在2006年第二季初,80纳米制程产品应开始小量供货,但为了避免旺季来临时,因80纳米制程转换遇到瓶颈而丧失市场,三星临时更换投片策略,将先行挪出8英寸厂

时间:2006/9/26 阅读:699 关键词:DRAM

高通2007年底前将与台积电合作45奈米制程

手机芯片大厂高通表示,已经开始着手45奈米先进制程研发,虽然仍有许多材料上或制程上的问题有待解决,不过整个进展速度仍十分顺利,预计2007年下旬就可开始与台积电等晶圆代工伙伴进入试产阶段,与台积电在2007年下半年将进入45奈米制程...

分类:名企新闻 时间:2006/9/13 阅读:756