位于美国芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布，受惠于存储处理器旺销，公司财季扭亏为盈。财报显示，美光财季实现净利润2。04亿美元，合每股收益23美分。去年同期，美光亏损7。18亿美元，合每股亏损93美分。美光当季营
分类：业界要闻 时间：2009/12/24 阅读：156
美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17。4亿美元，较2009年度同期成长约24。净利为2。04亿美元，每股盈余(EPS)
分类：名企新闻 时间：2009/12/24 阅读：988 关键词：存储器
美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17.4亿美元，较2009年度同期成长约24%。净利为2.04亿美元，每股盈余(EPS
分类：名企新闻 时间：2009/12/24 阅读：913 关键词：存储器
新浪科技讯北京时间12月18日晚间消息，美光科技公司(MU)表示，计划将其股票上市地点从纽约证交所转至纳斯达克全球精选市场，自12月30日起生效。这家总部位于爱达荷州Boise的公司表示，转板后的股票代码仍为“MU”。该公司董事长兼首席执...
分类：业界要闻 时间：2009/12/18 阅读：664
美光运用业界的工艺推出新款NAND与低功率DRAM多芯片封装产品
美光科技股份有限公司(MicronTechnology,Inc.,纽约证券交易所:MU)日前宣布,该公司将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2GbLPDDR相结合,生产出了市场上的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品.美
美光科技有限公司（MicronTechnology,Inc.）今天公布了截至2009年9月3日止的2009财年第四季度及全年经营业绩。2009财年第四季度，公司净销售额13亿美元，净亏损8800万美元（摊薄后每股亏损0.10美元）。2009财年，公
分类：业界动态 时间：2009/10/10 阅读：1443
根据国外媒体爆料，NAND闪存芯片制造商以及英特尔的合作伙伴美光科技可能会收购英特尔投资的NOR闪存制造商Numonyx。这将使得英特尔能够摆脱掉Numonyx，而美光则可以藉此进入NOR闪存业务，并获得Numonyx的phase-changeme
英特尔、美光推出采用3-Bit-Per-Cell技术业界效率的NAND产品
由英特尔、美光共同设立的NAND合资企业IMFlashTechnologies，以34奈米NAND制程，开发了3-bit-per-cell新技术，生产出目前市场上尺寸最小、性价比的32Gb晶片。该晶片因具有高密度和高性价比的特性，因此适用于快闪
随著TMC股东和班底逐渐浮上台面，美光(Micron)和台塑集团将加速送出整合计画书，美光在台代表暨华亚科执行副总勒松言(MichaelSadler)表示，TMC模式不会成功，即使成功亦不会解决台湾DRAM产业问题，但台系DRAM厂并不会步上奇梦达
分类：业界要闻 时间：2009/8/18 阅读：614
英特尔公司（IntelCorporation）和美光科技股份有限公司（MicronTechnologyInc.）日前宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）N
英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量...
分类：名企新闻 时间：2009/8/12 阅读：776 关键词：英特尔
日前，美光科技股份有限公司宣布生产出业内DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)，并将于今年秋季开始推出16GB版本的样品。通过减少服务器内存总线上的负载，美光的LRDIMM可用以支持更高的数据频率并显著增加内存容量。新的LRDIMM将采
分类：新品快报 时间：2009/8/3 阅读：354 关键词：服务器
随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IMFlash抢头香推出34纳米制程NANDFlash产品，应战三星电子(SamsungElectronics)42纳米制程，不但制程技术，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻
随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IMFlash抢头香推出34纳米制程NANDFlash产品，应战三星电子(SamsungElectronics)42纳米制程，不但制程技术，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻
全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。按分析师报告,IMFlash正讨论2xnm,而三星己悄
