CMOS资讯-维库电子市场网【第22页】

的汽车集成电路设计制造商意法半导体推出一款高动态范围的CMOS传感器，新产品专门为基于视觉技术的汽车驾驶辅助市场设计，融合了意法半导体的汽车电子技术和CMOS前沿影像技术。先进驾驶辅助系统（ADAS）用于提高驾驶员对汽车四周环境的了

时间：2008/10/23 阅读：815 关键词：CMOS 传感器

意法半导体(ST)推出一款高动态范围的CMOS传感器，新产品专门为基于视觉技术的汽车驾驶辅助市场设计，融合了意法半导体汽车电子技术和CMOS前沿影像技术。先进驾驶辅助系统(ADAS)用于提高驾驶员对汽车四周环境的了解，发现危险并辅助驾驶。...

分类：名企新闻时间：2008/10/23 阅读：281 关键词：CMOS 传感器

日前，AxiomMicrodevices非常高兴地展示了该公司屡获殊荣的互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOSPA)技术。通过开拓性的集成电路技术创新，AxiomMicrodevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大

时间：2008/10/17 阅读：540 关键词：CMOS 制造商

日前，AxiomMicrodevices非常高兴地展示了该公司屡获殊荣的互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOSPA)技术。通过开拓性的集成电路技术创新，AxiomMicrodevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大

时间：2008/10/16 阅读：681 关键词：CMOS 制造商

近些年市场上一些技术创新公司纷纷研发基于CMOS工艺的全硅振荡器，希望取代石英晶体振荡器。这些产品最早的市场定位是大批量低频率消费市场。这一市场的容量每年达到6亿美元。业内有种说法，如果把处理器比喻为电子系统“头脑”的话，那...

分类：行业访谈时间：2008/10/15 阅读：936 关键词：CMOS 振荡器

韩国MagnaChipSemiconductorLLC将退出CMOS传感器业务。这是该公司于2008年10月7日宣布的（英文发布资料）。撤出工作预计2009年第二季度结束。MagnaChip计划今后裁员200人。由此产生的重组费用为5480万美元。

分类：名企新闻时间：2008/10/10 阅读：1223 关键词：CMOS 传感器

CMOS影像传感器的独立供货商OmniVision科技日前宣布推出款8百万画素CMOS影像传感器。全新的OV8810是该公司款使用推出的1.4微米OmniBSI背面照度技术所研发的CameraChip产品。OmniBSI科技以小

分类：新品快报时间：2008/10/7 阅读：995 关键词：CMOS 传感器

美国豪威科技（OmniVisionTechnologies）开发出了像素间距为1.4μm、光学尺寸为1/3英寸的800万像素CMOS图像传感器“OV8810”（英文发布资料）。这是最早采用该公司“OmniBSI”背照（BSI:BacksideIll

分类：名企新闻时间：2008/10/6 阅读：343 关键词：CMOS 传感器

即便当前内存市场已到了惨不忍睹状态，不过对于三星电子而言，为了保有持大DRAM与NANDFlash制造商光环，对于内存投资动作丝毫未见缩手，除此之外，现在看在三星经营高层眼中，为确保三星得以持续保有成长与获利空间，以及避免鸡蛋放在同...

时间：2008/9/23 阅读：1226 关键词：CMOS 三星电子图像传感器

全球的半导体设备供应商SUSSMicroTec于今年9月9日至11日的Semicon台湾展上，展示新问世的XBC300生产用晶圆键合机，用于CMOS图像传感器（CIS）。参观者现场了解世界首台用于CMOS图像传感器（CIS）生产的晶圆键合机。X

分类：名企新闻时间：2008/9/16 阅读：480 关键词：图像传感器

在SEMICONTaiwan2008上，全球半导体制程及测试设备供货商SUSSMicroTec宣布，针对CMOS图像传感器市场推出XBC300晶圆键合机机。来自各地的参观者将有机会在展会上获取关于全台针对CMOS图像传感器的晶圆键合设备的更

分类：业界要闻时间：2008/9/11 阅读：353 关键词：CMOS 图像传感器

英联电子推出低电源电流双通路单刀双掷CMOS模拟开关UM3257,适用于多SIM卡系统，I2C以及SPI总线高速切换等应用。UM3257采用亚微米CMOS工艺生产，在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路，DFN12封装的外形尺寸为3mmX

分类：名企新闻时间：2008/9/10 阅读：891 关键词：CMOS

英联电子推出低电源电流双通路单刀双掷CMOS模拟开关UM3257,适用于多SIM卡系统，I2C以及SPI总线高速切换等应用。UM3257采用亚微米CMOS工艺生产，在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路，DFN12封装的外形尺寸为3mmX

分类：名企新闻时间：2008/9/8 阅读：870 关键词：CMOS

NovaledAG（德国，德累斯顿）通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯（Pentacene）半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。Novaled表示，当前的大多数开发都是基于并五苯（一类有

分类：业界要闻时间：2008/8/27 阅读：1087 关键词：CMOS 晶体管

德国NovaledAG开发出了制作CMOS型有机晶体管电路的技术。通过将自主开发的由杂质添加技术形成的并五苯（Pentacene）层，应用于p型及n型两种晶体管的半导体层上而实现。在晶体管的载体迁移率方面，p型及n型均为0.2cm2/Vs。另外，噪

分类：名企新闻时间：2008/8/25 阅读：1109 关键词：CMOS 半导体

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