的汽车集成电路设计制造商意法半导体推出一款高动态范围的CMOS传感器,新产品专门为基于视觉技术的汽车驾驶辅助市场设计,融合了意法半导体的汽车电子技术和CMOS前沿影像技术。先进驾驶辅助系统(ADAS)用于提高驾驶员对汽车四周环境的了
意法半导体(ST)推出一款高动态范围的CMOS传感器,新产品专门为基于视觉技术的汽车驾驶辅助市场设计,融合了意法半导体汽车电子技术和CMOS前沿影像技术。先进驾驶辅助系统(ADAS)用于提高驾驶员对汽车四周环境的了解,发现危险并辅助驾驶。...
Axiom的CMOS功放为手机制造商提供更优化更可靠的射频方案
日前,AxiomMicrodevices非常高兴地展示了该公司屡获殊荣的互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOSPA)技术。通过开拓性的集成电路技术创新,AxiomMicrodevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大
Axiom Microdevices的CMOS功放为手机制造商们提供了更优化及更可靠的射频方案
日前,AxiomMicrodevices非常高兴地展示了该公司屡获殊荣的互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOSPA)技术。通过开拓性的集成电路技术创新,AxiomMicrodevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大
近些年市场上一些技术创新公司纷纷研发基于CMOS工艺的全硅振荡器,希望取代石英晶体振荡器。这些产品最早的市场定位是大批量低频率消费市场。这一市场的容量每年达到6亿美元。业内有种说法,如果把处理器比喻为电子系统“头脑”的话,那...
韩国MagnaChipSemiconductorLLC将退出CMOS传感器业务。这是该公司于2008年10月7日宣布的(英文发布资料)。撤出工作预计2009年第二季度结束。MagnaChip计划今后裁员200人。由此产生的重组费用为5480万美元。
CMOS影像传感器的独立供货商OmniVision科技日前宣布推出款8百万画素CMOS影像传感器。全新的OV8810是该公司款使用推出的1.4微米OmniBSI背面照度技术所研发的CameraChip产品。OmniBSI科技以小
美国豪威科技开发出像素间距为1.4μm的13英寸800万像素背照式CMOS传感器
美国豪威科技(OmniVisionTechnologies)开发出了像素间距为1.4μm、光学尺寸为1/3英寸的800万像素CMOS图像传感器“OV8810”(英文发布资料)。这是最早采用该公司“OmniBSI”背照(BSI:BacksideIll
即便当前内存市场已到了惨不忍睹状态,不过对于三星电子而言,为了保有持大DRAM与NANDFlash制造商光环,对于内存投资动作丝毫未见缩手,除此之外,现在看在三星经营高层眼中,为确保三星得以持续保有成长与获利空间,以及避免鸡蛋放在同...
SUSS MicroTec推出用于CMOS图像传感器的新型生产用晶圆键合机
全球的半导体设备供应商SUSSMicroTec于今年9月9日至11日的Semicon台湾展上,展示新问世的XBC300生产用晶圆键合机,用于CMOS图像传感器(CIS)。参观者现场了解世界首台用于CMOS图像传感器(CIS)生产的晶圆键合机。X
分类:名企新闻 时间:2008/9/16 阅读:480 关键词:图像传感器
SUSS MicroTec隆重推出晶圆键合设备面向CMOS图像传感器市场
在SEMICONTaiwan2008上,全球半导体制程及测试设备供货商SUSSMicroTec宣布,针对CMOS图像传感器市场推出XBC300晶圆键合机机。来自各地的参观者将有机会在展会上获取关于全台针对CMOS图像传感器的晶圆键合设备的更
英联电子低电源电流双通道单刀双掷CMOS模拟开关UM3257出炉
英联电子推出低电源电流双通路单刀双掷CMOS模拟开关UM3257,适用于多SIM卡系统,I2C以及SPI总线高速切换等应用。UM3257采用亚微米CMOS工艺生产,在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路,DFN12封装的外形尺寸为3mmX
分类:名企新闻 时间:2008/9/10 阅读:891 关键词:CMOS
英联电子推出低电源电流双通道单刀双掷CMOS模拟开关UM3257
英联电子推出低电源电流双通路单刀双掷CMOS模拟开关UM3257,适用于多SIM卡系统,I2C以及SPI总线高速切换等应用。UM3257采用亚微米CMOS工艺生产,在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路,DFN12封装的外形尺寸为3mmX
分类:名企新闻 时间:2008/9/8 阅读:870 关键词:CMOS
NovaledAG(德国,德累斯顿)通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯(Pentacene)半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。Novaled表示,当前的大多数开发都是基于并五苯(一类有
德国Novaled AG开发出可实现CMOS型有机晶体管电路的半导体层
德国NovaledAG开发出了制作CMOS型有机晶体管电路的技术。通过将自主开发的由杂质添加技术形成的并五苯(Pentacene)层,应用于p型及n型两种晶体管的半导体层上而实现。在晶体管的载体迁移率方面,p型及n型均为0.2cm2/Vs。另外,噪