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尔必达赴台融资 恐排挤台厂

尔必达(Elpida)申请来台发行存托凭证(TDR)获得“经济部”工业局核准,尔必达社长坂本幸雄亲自来台,并与“经济部”达成共识,引发台DRAM厂高度关注。尽管证交所与金管会招商成功,尔必达风光成为第1家来台发行TDR的半导体大厂,但从当初...

分类:名企新闻 时间:2010/11/16 阅读:723 关键词:尔必达

尔必达削减产能应对芯片降价

据国外媒体报道,去年获得日本政府救助的芯片厂商尔必达今天表示,由于芯片价格的“意外”下滑,该公司计划将产能削减25%。在芯片制造业中,产能以晶圆数量计算。尔必达将把每月的晶圆产量从23万下调至17万。但该公司并未透露何时恢复产...

分类:名企新闻 时间:2010/11/5 阅读:893

尔必达推出最小尺寸30nm DDR3颗粒

最近,内存颗粒的工艺进步速度非常快,的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。今天我们得到消息,继三星之后,尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3SDRAM内存颗粒,并且核心面积和功耗都创下业界

分类:新品快报 时间:2010/10/9 阅读:236 关键词:DDR3

尔必达拟购买力晶和茂德股份对抗三星

尔必达正在考虑收购力晶(Powerchip)和茂德(ProMOS)股份,以抵御三星的竞争,并有望引发全球半导体行业近十多年来规模的重组。行业整合尔必达总裁阪本幸雄在本周接受媒体采访时表示,力晶、茂德以及华邦(Winbond)三家中国台湾的半导体

分类:名企新闻 时间:2010/10/8 阅读:315 关键词:尔必达

尔必达30奈米DRAM技术转瑞晶

三星半导体社长权五铉才刚公布三星今年将量产35奈米DRAM,制程稳居领导地位,然日系大厂尔必达(Elpida)也不甘示弱,日本媒体报导,尔必达将利用旗下位于广岛的工厂、量产30奈米产品,并计划将30奈米技术移转给子公司瑞晶(4932),整个...

分类:名企新闻 时间:2010/9/30 阅读:382 关键词:DRAM尔必达

尔必达30纳米制程DRAM迈入量产

日厂尔必达(Elpida)将自2010年12月开始导入30纳米前半制程量产DRAM,与同年7月早一步投入30纳米前半制程DRAM量产的三星电子(SamsungElectronics)较劲。据悉,新的制程技术可撙节约30%的生产成本。尔必达另计划20

分类:名企新闻 时间:2010/9/30 阅读:847 关键词:DRAM尔必达

尔必达砸30亿元 来台设研发中心

台湾投资环境已成功吸引外商目光。据悉,日商尔必达与日立已向经济部申请研发中心补助计划。尔必达预计投入约30亿台币设立研发中心,并与力晶合作新研发计划。而日立投入规模也至少上亿元,预计成立国际绿色产品研发中心。官员表示,外商...

分类:名企新闻 时间:2010/9/27 阅读:1185 关键词:尔必达

尔必达内存季度销售额和营业利润均创单季新高

尔必达内存于2010年7月29日公布了2010财年季度(2010年4~6月)的结算报告。销售额为1763亿日元,比上年同期增长103.8%。营业损益由上年同期的亏损423亿日元转为盈利444亿日元,纯损益由上年同期的亏损444亿日元转为盈利30

分类:名企新闻 时间:2010/8/2 阅读:250

尔必达发布采用40nm工艺制造的2Gbit LPDDR2型DRAM

尔必达发布了采用40nm工艺制造的2GbitLPDDR2型DRAM“DDR2MobileRAM”。该产品是面向智能手机及平板电脑市场开发的。据尔必达介绍,该产品将成为在广岛工厂40nm工艺生产线强化产能后的主力产品。尔必达009年9月发布了采用50

分类:新品快报 时间:2010/8/2 阅读:367 关键词:尔必达

瑞晶助威 尔必达阵营Q2大赚

瑞晶(4932)半年报令市场惊艳!单季税后纯益达50.11亿元,季增22.78%,累计整个上半年大赚90.92亿元,每股纯益达3.09元,表现超乎预期。整个尔必达阵营中,力晶(5346)上半年大赚102.97亿元,尔必达4月至6月会计年度也获利30

分类:名企新闻 时间:2010/7/30 阅读:804

尔必达财报亮眼 7月Mobile RAM导入40纳米

日系存储器大厂尔必达(Elpida)29日公布2010年第1季(会计年度4-6月)财报,单季营收为1,763亿日圆(约20.28亿美元),较上一季增加28%,较2009年同期增加103%,单季毛利率为35%,净利为307亿日圆(约3.52亿美元),

分类:名企新闻 时间:2010/7/30 阅读:946 关键词:RAM

尔必达造平板电脑适用的最小LPDDR2颗粒

尔必达公司今天宣布,他们已经开发出了一款新品2Gb容量DDR2移动存储芯片,号称全球最小的LPDDR2颗粒,FBGA封装后封装尺寸仅有10x11.5mm。该内存颗粒主要面向智能手机和平板机市场,运行在1.2V低压下,可实现1066Mbps的高数据传

分类:新品快报 时间:2010/7/29 阅读:1098 关键词:尔必达平板电脑

尔必达飞索结盟形成第5大NAND Flash阵营

DRAM大厂尔必达(Elpida)和NORFlash大厂飞索(Spansion)宣布结盟,将共同开发NANDFlash技术和产品,尔必达取得相关专利,未来将以日本广岛12寸厂做为生产基地,初期从43纳米切入,未来再导入32纳米,全面抢进NANDFl

分类:名企新闻 时间:2010/7/26 阅读:286 关键词:FlashNAND尔必达

尔必达与Spansion签署NAND Flash代工协议

日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围,双方除共同研发NANDFlash制程技术与产品外,尔必达将为飞索半导体代工生产NANDFlash。另外,尔必达亦在研拟双方合作研发NORFlash,并为其代工的可能性。据悉,

分类:名企新闻 时间:2010/7/26 阅读:1038 关键词:FlashNAND尔必达

尔必达或将进入NAND型芯片市场

日本PC记忆体芯片大厂尔必达近日透露,该公司正与Spansion合作,以进入NAND型芯片市场,该市场正因智能手机及其它行动设备广受欢迎而逐步扩张。尔必达指出,两家公司亦将考虑就NOR型芯片进行结盟。目前NAND型闪存市场领导厂商为韩国三星...

分类:名企新闻 时间:2010/7/22 阅读:991 关键词:NAND尔必达