DDR资讯-维库电子市场网【第17页】

虽然AMD已经开始使用HBM高带宽显存，NVIDIA明年也会跟上，但在一段时间内，GDDR5仍将是主流。美光29日宣布，已经开始出货个20nm级别工艺的GDDR5显存颗粒，可用于显卡和游戏主机。美光没有披露任何细节，但看起来应该就是几周

分类：新品快报时间：2015/7/1 阅读：335

Diodes公司(DiodesIncorporated)推出低压差线性稳压器AP2303，可产生DDR2丶3丶3L及4SDRAM内存系统所需的总线终端电压。新器件适用于下一代机顶盒丶主板和显卡等产品，能够连续抽出及灌入高达1.75A的电流，并为DD

分类：名企新闻时间：2015/6/16 阅读：482 关键词：DDR Diodes 稳压器

高性能集成方案提供有效的源极/汲极限流和远程感测功能，用于智能手机、消费电子、电脑和汽车应用2015年5月28日—推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON，推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压

分类：名企新闻时间：2015/6/4 阅读：391 关键词：DDR Semiconductor 稳压器

2015年5月12日，致力于亚太地区市场的半导体元器件分销商---大联大控股<http://www.wpgholdings.com/>宣布，其旗下友尚推出基于STSTTS2002B2DN3F和STTS2004B2DN3F的服务器内存

分类：名企新闻时间：2015/5/27 阅读：840 关键词：WPG 服务器

SK海力士(SKhynix)追上记忆体龙头三星电子(SamsungElectronics)进度，9日宣布量产LPDDR4，已经供货给LG电子(LGElectronics)的旗舰智能。韩联社9日报导，SK海力士表示，该公...

分类：名企新闻时间：2015/2/13 阅读：717

Altera公司(Nasdaq:ALTR)今天宣布，在硅片中演示了DDR4存储器接口，其工作速率是业界的2,666Mbps。Altera的Arria10FPGA和SoC是目前业界能够支持这一速率DDR4存储器的FPGA，存储器性能比前一代F

分类：新品快报时间：2015/2/4 阅读：792 关键词：FPGA 存储器

三星（Samsung）宣布将以该公司20纳米（nm）先进制程，量产业界首款8Gb第五代绘图双倍资料率（GDDR5）动态随机存储器（DRAM）。GDDR5为目前市场上被广泛采用的独立型（Discrete）绘图存储器。三星电子存储器销售与行销执行副总裁

分类：名企新闻时间：2015/1/19 阅读：438 关键词：存储器

三星电子宣布，已经成功量产了个8Gb（1GB）容量的新一代LPDDR4移动内存颗粒，并采用了该公司的20nm工艺。这样的颗粒只需要4颗，就能组成4GB内存芯片，用于智能手机，而随着64位ARM架构、安卓5.0的相继投入实用，4GB内存也

分类：新品快报时间：2014/12/23 阅读：689

储器品牌威刚科技(ADATA)宣布全线DDR4存储器模组皆支援Intel?Haswell-EP系列处理器，并将于IDF2014进行展示。威刚DDR4存储器模组提供了各式装置的解决方案，包括服务器、工作站以及电玩系统，为全球的消费者、企业与工业装置，

分类：名企新闻时间：2014/9/10 阅读：618

DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NANDFlash快闪记忆体也跨入1x奈米制程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容

分类：行业趋势时间：2014/9/4 阅读：733 关键词：Flash NAND

Molex更新DDR4DIMM插座提供多种改进实现更高的灵活性和可靠性高速服务器内存应用获益于插座类型和制造材料的改进(新加坡–2014年7月31日)Molex公司现推出DDR4DIMM插座产品，具有气动及标准两种型款，为设计工程师提供更多的选项和

分类：新品快报时间：2014/8/3 阅读：425 关键词：Molex

IDT宣布，其DDR4寄存器发货量已超过1百万件，这是由于即将发布的IntelXeon处理器E5-2600v3平台对下一代DRAM模块的需求增长而引致的必然结果。IDT的DDR4寄存器是芯片组的一部分，芯片组还包括数据缓冲器和带串行存在检测(SPD

分类：业界动态时间：2014/7/29 阅读：990 关键词：DRAM

全新SPDEEPROM器件旨在迎合PC和笔记本电脑市场的DDR4标准全球的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商--MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）宣布推出新一代4KbI2C?串行存在检测

分类：名企新闻时间：2014/5/8 阅读：460 关键词：Microchip

据韩联社消息，三星电子表示已开始量产超高速内存——20纳米级16GBDDR4模块，并计划加快进军企业服务器市场的步伐。20纳米级16GBDDR4DRAM产品体积世界最小，处理速度可达2667Mb/s，和DDR3DRAM相比，耗电量减少30%以上

分类：新品快报时间：2013/9/5 阅读：1315

导读：三星在智能手机市场是当之无愧的老大，而在芯片市场上也有不俗的表现。三星将开始更高密度LPDDR3芯片的量产。三星将出货3GB容量的LPDDR3芯片模组，这意味着下一代高端智能手机很可能将采用3GB内存。三星今天宣布，将开始更高密度LP...

分类：名企新闻时间：2013/7/25 阅读：1333

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