近日消息，为提升企业用户对于信息传输与使用容量上的需求，宇瞻科技(Apacer)新推出高容量16GB的新型态DDR3-1333低负载服务器存储器模块(LoadReducedDualIn-LaneMemoryModule;LRDIMM)，透过减少总线
分类：新品快报 时间：2011/9/22 阅读：380 关键词：DDR3
8月15日消息，据外媒报道，根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange指出，八月上旬合约价创下今年六月以来单旬跌幅，DDR32GB及4GB合约价均价分别在12.25美元（1Gb$0.61）及23.5美元（2Gb$1
分类：维库行情 时间：2011/8/15 阅读：284 关键词：DDR3
近日消息，据华芯半导体市场营销经理殷和国表示，由于目前的DRAM出货量累计已达到4kk，下半年公司将向市场推出1Gb和2GbDDR3DRAM。他解释道，之所以选择在下半年推出DDR3，是因为目前出货的PC主要在采用DDR3，我们希望避开竞争高峰期，
市场调研公司集邦科技报告，主流DDR3内存期货价将在二月份上半个月跌至谷底，然后开始恢复。集邦科技称，DDR3期货价去年四季度的下降幅度接近50%。台湾南亚科技也同样给出了类似观点，今年二季度的DRAM内存芯片期货价增长幅度至少达到5%...
分类：维库行情 时间：2011/2/21 阅读：429 关键词：DDR3
日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起研发4F2DRAM芯片产品。...
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，十二月下旬DDR32GB合约价仍持续下跌趋势，从20美元(1Gb$1.09)下跌至18美元(1Gb$0.97)，跌幅10%，低价成交价更亦下探至17美元(1Gb$0.9
分类：维库行情 时间：2010/12/24 阅读：476 关键词：DDR3
泰科电子（TE）按照JEDEC工业标准推出了新型超低型VLP（verylow-profile）第三代双倍数据速率（DDR3）双列直插式内存模组（DIMM）插槽。该产品卡扣高度为16毫米，进而减小了插槽的总高度，加上双列直插式内存模组（DIMM）
分类：新品快报 时间：2010/12/13 阅读：942 关键词：DDR3
泰科电子（TE）按照JEDEC工业标准推出了新型超低型VLP（verylow-profile）第三代双倍数据速率（DDR3）双列直插式内存模组（DIMM）插槽。该产品卡扣高度为16毫米，进而减小了插槽的总高度，加上双列直插式内存模组（DIMM）
分类：新品快报 时间：2010/12/10 阅读：1873 关键词：DDR3
劲永推出DDR3 Registered/ECC 服务器存储器模块
存储器模块厂劲永（6145）推出DDR3Registered/ECC服务器存储器模块，随着云端运算时代的来临，劲永因应趋势潮流发表一系列DDR3服务器存储器模块。DDR3Registered/ECC服务器存储器模块不仅为PQI的PowerMemor
集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange指出，DDR32GB合约价10月上旬跌幅达6%~9%，DDR32GB合约价高价部分由35美元下跌至33美元，主要是韩系厂商成交价。该机构表示，低价成交厂商多为日系及台系DRAM厂，由于面临较大的销货压力而
分类：维库行情 时间：2010/10/20 阅读：1091 关键词：DDR3
据国外媒体报导，SuperTalent近日发布了全球首款4GB容量的DDR31600MHzSO-DIMM笔记本内存条。目前的PC桌面平台早已有DDR32000MHz或以上的内存产品，不过笔记本平台却远不如桌面平台那么“犀利”。目前高端的笔记本产品一
DRAM现货价格昨日跌幅收敛，DDR31Gb有效测试颗粒价格甚至出现暂时止稳的情况，然后无论是DDR31Gb或是DDR21Gb现货价都跌破2美元大关。DDR31Gb价格随着新产能加入，报价仅1.74美元，虽然尚无跌破成本之虞，不过因为集邦科技预估季
最近，内存颗粒的工艺进步速度非常快，的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。今天我们得到消息，继三星之后，尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界
分类：新品快报 时间：2010/10/9 阅读：259 关键词：DDR3
三星刚刚公布其量产8GBDDR3笔记本内存模组的消息，根据计划，三星将为笔记本和移动工作站生产SODIMM接口内存模块，该模块基于40纳米制程，1333MHz频率，1.5V电压，比上一代4GBDDR3模组节电53%，比1.8VDDR2节电67%。这
据报道，三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2GbDDR3芯片，在工艺升级上继续日美竞争对手。随着量产时间表的设定，三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。和三星目前的主要46nm处理工艺相比，36nm意味着30%
分类：新品快报 时间：2010/9/21 阅读：1092 关键词：DDR3
