日前，美光科技股份有限公司为笔记本计算机提供高性能、低功耗的DDR3内存，使笔记本计算机现在能够充分利用优化的电池寿命和便携性。美光公司新的内存模块现在提供的内存容量为2GB，今年秋季将提供4GB的样品。新产品为笔记本计算机提供无...
分类：名企新闻 时间：2009/6/22 阅读：1176 关键词：DDR3
Mouser备货Molex DDR3 DIMM插座DDR3数据传输率从800Mbps到1.6Gbps
MouserElectronics日前发布它备货新式MolexDDR3DIMM插座。Molex成立于1938年，是全球的连接器产品制造商之一。Molex为线对线，线对板和板对板连接研发创新产品解决方案，包括接头、背板、端子、电信、以太网、线
三星近日宣布，将全力推动DDR3的普及。由于2GB容量DDR3与DDR2模组差价模已拉近至1美元，近期三星锁定部分一线大客户，利用DDR3与DDR2的差价策略，鼓励PC用户积极采购DDR3平台。三星力推DDR3与DDR2无价差策略DRAM厂表示，三
4月22日消息，韩国电子公司三星宣布，因英特尔推出5500系列Xeon服务器处理器，刺激需求增长，公司决定增加50奈米制程技术的DDR3DRAM之产能。DDR3是第三代的双倍数据率同步动态随机存取内存。三星和其它公司相信DDR3将在今年底前，成为D
Micron宣布DDR3服务器内存通过Intel至强处理器芯片
美光科技股份有限公司(Micron)宣布它的一组DDR3服务器内存模块已经通过英特尔下一代至强处理器芯片的认证,经认证的美光1、2、4和8GBDDR3模块着重于性能，提供1066Mb/s和1333Mb/s的速度，大大地提高服务器吞吐量。此外，美光全
美光科技股份有限公司日前宣布它的一组DDR3服务器内存模块已经通过英特尔下一代至强处理器芯片的认证。经认证的美光1、2、4和8GBDDR3模块着重于性能，提供1066Mb/s和1333Mb/s的速度，大大地提高服务器吞吐量。此外，美光全资子公司Le
韩国海力士8GB DDR3 R-DIMM获英特尔Nehalem／Tylersburg-EP工作
韩国海力士半导体（HynixSemiconductor）宣布，该公司存储容量为8GB的DDR3方式2-RankRegisteredDIMM（R-DIMM）“HMT31GR7AUP4C”获得了基于美国英特尔“Nehalem”（开发代码名）架构的微处理
全球记忆体领导供应商奇梦达公司近日宣布推出个以全球最小且未曾发表过的2Gb(Gigabit)记忆体晶片组成的功能模组。透过先进的46奈米BuriedWordline技术，奇梦达制造出这款仅有55平方公厘大小的2GbDDR3DRAM，相较于现
分类：名企新闻 时间：2009/2/10 阅读：870 关键词：DDR3
Inter悄悄宣布了推迟发布代号Tukwila的四核心安腾处理器，这则消息被淹没在年终假期、美国大选和全球经济危机的新闻大潮中。服务器市场总监苏姗?陶泽尔表示，时间非常紧迫，英特尔计划在今年年中投产。Inter的安腾系列是与惠普合作开发，...
Panasonic已获授权使用Rambus的DDR3控制器接口解决方案
Rambus宣布松下(Panasonic)已获授权使用Rambus的DDR3内存控制器接口解决方案，运用于其消费性电子产品系统LSI实务。此一完全整合式宏功能芯片单元架构，提供控制器逻辑与DDR3DRAM装置之间的实体层(PHY)接口，数据传输率最
1月16日消息，据台湾地区的主板厂商称，虽然英特尔和AMD原来预计其所有产品都要在2009年全面向DDR3内存过渡，但是，这两家厂商现在要推迟仅支持DDR3内存的芯片组。DDR3这代内存预计要在2010年之后才能广泛应用。由于DDR3内存价格的下降
劲永国际(PQI)推出运算时脉可达16,000MHz的TurboDDR3-20002GBx2双信道内存模块。PQITurboDDR3-2000内存模块双信道的容量内存可减少系统对硬盘中虚拟内存的使用，让整体计算机系统的运作反应更快速。PQITu
分类：名企新闻 时间：2008/12/11 阅读：903
安森美适合DDR3应用的集成EEPROM的温度传感器CAT34TS02
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦
分类：新品快报 时间：2008/12/9 阅读：261 关键词：温度传感器
安森美为DDR3存储器模块应用推出温度传感器CAT34TS02
安森美半导体(ONSemiconductor)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编
安森美半导体为DDR3存储器模块应用推出集成EEPROM的温度传感器
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(
