三星电子与东芝公司日前表示，两家公司已经签署了互相授权许可协议。双方可以制造、行销和销售对方的NAND闪存专利产品，以期拓宽OEM市场供应渠道。根据协议，两家公司将共享三星OneNAND和东芝LBA-NAND内存芯片的技术和品牌。预计将可以增...
分类：名企新闻 时间：2007/12/5 阅读：544 关键词：NAND
三星电子与东芝公司日前表示，两家公司已经签署了互相授权许可协议。双方可以制造、行销和销售对方的NAND闪存专利产品，以期拓宽OEM市场供应渠道。根据协议，两家公司将共享三星OneNAND和东芝LBA-NAND内存芯片的技术和品牌。预计将可以增...
分类：名企新闻 时间：2007/12/5 阅读：520 关键词：NAND
市场调研公司iSuppli日前在声明中表示，第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%，达到42亿美元。但iSuppli指出，在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头，本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求，本季度NAND
分类：名企新闻 时间：2007/12/5 阅读：548 关键词：NAND
三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产设施已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。NAND闪存是目前两种闪存芯片之一，用于在优盘、存储卡和MP3
分类：名企新闻 时间：2007/12/4 阅读：577 关键词：NAND
市场调研公司iSuppli日前在声明中表示，第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%，达到42亿美元。但iSuppli指出，在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头，本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求，本季度NAND
分类：维库行情 时间：2007/12/3 阅读：642 关键词：NAND
美国iSuppli公布预测结果，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。恶化的原因在于供应过剩和价格暴跌。NAND闪存方面，预计全球市场上每512Mbi的平均单价将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单
11月25日消息，据外电报道，三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产设施已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。NAND闪存是目前两种闪存芯片之
分类：名企新闻 时间：2007/11/27 阅读：581 关键词：NAND
iSuppli预测：供应过剩将使NAND闪存及DRAM行情进一步恶化
美国iSuppli公布预测结果，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。恶化的原因在于供应过剩和价格暴跌。NAND闪存方面，预计全球市场上每512Mbi的平均单价将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单
三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产设施已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。NAND闪存是目前两种闪存芯片之一，用于在优盘、存储卡和MP3
分类：名企新闻 时间：2007/11/26 阅读：628 关键词：NAND
据赛迪网报道，三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产厂已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。NAND闪存是目前两种闪存芯片之一，用于在优盘...
分类：名企新闻 时间：2007/11/26 阅读：200 关键词：NAND
金士顿亚太区副总裁陈思轲(ScottChen)在中国台湾地区的经销商会议上表示，金士顿科技公司2007年闪存销售将增长50%。调节芯片的供应也会相应推进microSD卡的销售。2007年金士顿全年销售收入预计将增长35%，达50亿美元，其中NAND
三星开发成功了个64Gb多层单元NAND闪存芯片。该芯片采用30纳米工艺设计。据三星介绍，这标志着存储密度连续第八年每年提高一倍，连续第七年纳米尺度为NAND闪存得到改善，2001年开发的100纳米NAND具有1Gb容量。该NAND芯片的生
分类：名企新闻 时间：2007/11/5 阅读：559 关键词：NAND
采用30纳米工艺设计，三星开发成功首款64Gb NAND闪存
三星开发成功了个64Gb多层单元NAND闪存芯片。该芯片采用30纳米工艺设计。据三星介绍，这标志着存储密度连续第八年每年提高一倍，连续第七年纳米尺度为NAND闪存得到改善，2001年开发的100纳米NAND具有1Gb容量。该NAND芯片的生
分类：名企新闻 时间：2007/11/1 阅读：532 关键词：NAND
从国外媒体处获悉：全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布，已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是块64GB的NAND闪存芯片。三星电子公司表示，他们利用三十纳米的的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前，该公司在...
分类：行业趋势 时间：2007/10/25 阅读：722 关键词：NAND
尽管EUV(超紫外光)、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强，东芝(ToshibaCorp.)仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影(opticallithography)技术。东芝表示，公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用尼康(
