TDK公司日前宣布推出GBDriverRS1系列NAND闪存控制器LSI电路。新的GBDriverRS1兼容1.5GbpsSATAI，并且在当作NAND闪存控制器IC使用时，可以控制的4K字节/页的SLC（单级单元）和MLC（多级单元）NAND
在本届IIC2008展会上，日本东芝（Toshiba）带来了基于NAND技术的存储系列产品、蓝牙汽车音响方案以及针对中国地面数字广播系统方案。在NAND闪存领域，东芝位居全球第二的位置，东芝此次展出的是面向手机应用的大容量闪存系列产品mobileL
分类：名企新闻 时间：2008/3/11 阅读：2702 关键词：NAND
英特尔首席执行官PaulOtellini周三表示，NAND闪存芯片价格一季度出现大幅下跌，幅度是先前预期的近两倍。他指出，英特尔预计从去年第四季度至今年季度，NAND闪存芯片的价格将下跌27%，但实际下跌幅度高达53%。NAND闪存价格下跌导致
分类：维库行情 时间：2008/3/8 阅读：1195 关键词：NAND
NAND闪存龙头老大现身IIC2008，晶圆、芯片、模组逐个看
三星在本届IIC-China上主要展示了其存储器产品系列以及多个便携式多媒体解决方案。三星展示的存储器产品包括DRAM、闪存以及Fusion存储器的晶圆、芯片和相关的模块、模组等；解决方案则包括基于其移动显示驱动芯片S6FR201的移动显示方案、...
分类：名企新闻 时间：2008/3/7 阅读：249 关键词：NAND
英特尔首席执行官欧德宁周三表示,英特尔看到今年季度某些存储芯片价格的下跌幅度几乎是它预料的一倍。欧德宁称，英特尔预计今年季度NANS闪存芯片价格将比2007年第四季度下跌27%。英特尔观察到的实际下跌幅度是53%。价格下跌的结果是降低...
由于美国经济衰退导致电脑和消费电子产品销售增长减速，对英特尔的NAND闪存芯片业务的利润造成很大压力。英特尔在2005年下半年宣布与美光科技组成合资公司，共同研发和生产一种名为NAND闪存的内存芯片，这种芯片被广泛应用于各种消费电子...
NAND闪存市场增速放缓的又一个迹象：厂商正在推迟兴建新的闪存工厂，或者放慢闪存工厂的产量提升速度。日前东芝(Toshiba)和SanDisk宣布将在日本兴建人们期待很久的Fab5工厂。据这两家公司，该工厂将生产NAND闪存，预计2010年投产。A
分类：行业趋势 时间：2008/2/28 阅读：750 关键词：NAND
闪存价格的下降已经伤害了一些半导体厂商的股票价格。但是，今天的痛苦可能会为明天的增长铺平道路。NAND闪存芯片广泛应用于便携式媒体播放机、数码相机、硬盘和其它设备中。由于供过于求，2007年NAND闪存芯片的价格比2006年下降了60%。...
分类：行业趋势 时间：2008/2/25 阅读：729 关键词：NAND
iSuppli预警08年闪存市场将走下坡路 NAND恐步DRAM后尘
市场分析公司iSuppli日前报告降低了它对08为全球NAND闪存营收成长的预期，预计成长值从27%调降到个位数。iSuppli称，07年NAND闪存芯片销售额139亿美元，08年这一数字将轻微上升。NAND闪存芯片被大量消费电子产品所采用，包括闪
东芝(Toshiba)和SanDisk宣布签署一份非约束性的谅解备忘录，准备成立一家合资企业并在日本兴建一家用于制造NAND闪存的300毫米晶圆生产厂。双方表示，目前将开始为工厂选址，计划在2010年投产。50%的产能将分配给新成立的合资企业，其余
分类：行业趋势 时间：2008/2/21 阅读：799 关键词：NAND
近日东芝宣布成功开发出专用于16-Gigabit（Gb）NAND闪存芯片的新技术。据悉，此款闪存采用43纳米工艺技术制造，由东芝与美国SanDisk公司共同开发。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）上
分类：行业趋势 时间：2008/2/20 阅读：879 关键词：NAND
东芝与SanDisk开发采用43纳米工艺的16Gb NAND闪存
东京东芝(Toshiba)株式会社近日宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型16Gb产品的芯片大小约为120平方毫米，比
分类：业界要闻 时间：2008/2/20 阅读：193 关键词：NAND
世界第二大NAND闪存芯片制造商——日本东芝公司将与其合作伙伴——美国SanDisk公司联合投资约1.8万亿日元(约合167亿美元)，在日本新建两座NAND闪存制造厂。去年，东芝公司曾表示，准备在今年超过韩国三星电子公司，成为全球NAND闪存市场...
分类：行业趋势 时间：2008/2/20 阅读：708 关键词：NAND
东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的地位，于今日宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的...
SanDisk和东芝发布每单元3bit的NAND闪存 技术革新集成度提高41％
美国SanDisk和东芝在“ISSCC2008”上发布了采用每单元3bit多值技术的56nm制造工艺16GbitNAND闪存。这是每单元3bit的多值NAND闪存首次亮相。写入时的数据传输速度为8MB/秒，是56nm制造工艺的每单元2bit产品的数
分类：业界要闻 时间：2008/2/18 阅读：141 关键词：NAND
