揭示16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节

2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的

分类：业界要闻 时间：2008/6/19 阅读：221 关键词：MLCNAND

可擦写一亿次以上 日研发新型NAND闪存单元

据报道，日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectricgatefield-effecttransistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下

分类：新品快报 时间：2008/6/6 阅读：950 关键词：NAND

英特尔、美光联合打造32Gb NAND闪存芯片

据国外媒体报道，上周四，芯片巨头英特尔(Intel)与美光(Micron)科技公司宣称，未来二者将共同开发基于34纳米技术的32GbNAND闪存芯片。分析人士认为，这一芯片产品问世将使大容量固态硬盘（SSD）的价格进一步下降。英特尔公司表示，新款闪

分类：名企新闻 时间：2008/6/6 阅读：803 关键词：NAND英特尔

Marvell推出超薄型基于PCIe的88NV8120 NAND闪存控制器

Marvell近日宣布推出超薄型基于PCIExpress(PCIe)的Marvell88NV8120NAND闪存控制器。该控制器是在计划的固态存储控制器范围内推出的首款Marvell产品。Marvell88NV8120控制器旨在用于个人电脑(PC)

分类：新品快报 时间：2008/6/5 阅读：282 关键词：MarvellNAND

Marvell推出PCI Express的超小型NAND闪存控制器Marvell88NV8120

Marvell近日宣布，公司将进入固态控制器市场，同时还推出了已计划生产的多种固态存储设备控制器中的款产品——基于PCIExpress(PCIe)的超小型NAND闪存控制器Marvell88NV8120。Marvell88NV8120控制器专门

分类：新品快报 时间：2008/6/4 阅读：1073 关键词：MarvellNAND

日产综研开发出采用强电介质的NAND闪存单元

据日经BP社报道，日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectricgatefield-effecttransistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压

分类：业界要闻 时间：2008/6/2 阅读：813 关键词：NAND电介质

产综研联合东京大学研制出采用强电介质NAND闪存单元

日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectricgatefield-effecttransistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前

分类：业界要闻 时间：2008/5/28 阅读：925 关键词：NAND电介质

以色列初创公司欲打造NOR-NAND组合方案 取代移动设备中的NOR闪存

以色列初创公司KDRFlashwareSolutions表示，其所开发的技术可以在其软件、信号处理和系统资源的基础上，实现代码和数据位于单张裸片上的单闪存芯片方案。该公司表示，它的芯片能以一个NOR-NAND组合方案取代现有的NOR产品，用于移动设

分类：行业趋势 时间：2008/5/6 阅读：826 关键词：NAND

削减产量延期上市 NAND闪存芯片价格迅速上涨

面对当前半导体市场上NAND闪存芯片价格短期内迅速窜升局面，客户厂商多数抱怨，而全球内存厂商金士顿科技公司（Kingston）成为了该轮芯片价格上涨受益者。NAND闪存芯片价格上浮，与当前包括Hynix半导体与IMFlash技术公司在内的主

分类：维库行情 时间：2008/4/22 阅读：849 关键词：NAND

NAND闪存芯片价格迅速上涨

据海外媒体报道称，面对当前半导体市场上NAND闪存芯片价格短期内迅速窜升局面，客户厂商多数抱怨，而全球内存厂商金士顿科技公司（Kingston）成为了该轮芯片价格上涨受益者。NAND闪存芯片价格上浮，与当前包括Hynix半导体与IMFlas

分类：维库行情 时间：2008/4/21 阅读：910 关键词：NAND

NAND闪存价格降7成，美国美光科技赤字扩大

美国美光科技(MicronTechnology)发布了2008财年第二季度（2007年12月～2008年2月）结算报告（英文发布资料，PDF文件）。销售额为13亿5900万美元，比上年同期减少4.8％，比上季度减少11.5％。营业损益和纯损益均为赤

分类：业界动态 时间：2008/4/12 阅读：825 关键词：NAND

Micron推迟NAND闪存工厂建设计划 市场供需将获改善

美光(Micron)搁浅了新加坡建厂的计划，其竞争对手海力士(Hynix)也计划减产NANDflash产品。而市场龙头三星(Samsung)以及东芝(Toshiba)据称没有减产NANDflash的计划。Micron建厂搁浅的消息是其在季报公布亏损

分类：行业趋势 时间：2008/4/8 阅读：746 关键词：NAND

现代半导体将削减NAND闪存产量

据储存行业消息人士透露，目前由于储存行业普遍存在供过于求，产品价格急剧下滑，韩国现代半导体公司决定削减它的NAND闪存产品的产量。消息人士指出，现代半导体削减的闪存产量大约占全球闪存总产量的5%，这一举措在第二季度期间大约需要...

分类：名企新闻 时间：2008/4/2 阅读：689 关键词：NAND半导体

闪存市场需求渐现 苹果欲囤积大量NAND芯片

据报道，尽管韩国海力士半导体和三星电子都暗示苹果将要重新调整期NAND闪存需求，但是台湾芯片厂家并不认同他们的说法，认为根据预测显示，苹果还有相当大的芯片需求。海力士半导体和三星电子近期向市场透露，为了刺激芯片价格上涨，苹果...

分类：行业趋势 时间：2008/3/31 阅读：767 关键词：NAND

苹果欲下单亚洲代工厂 NAND型闪存大厂纷纷示好

近期传出苹果(Apple)已向亚洲代工厂下订单，计划订制1,000万支升级版iPhone，下载速度较目前版本更快，在苹果订单激励下，包括三星电子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等NAND型闪存(Flash)大厂频打出苹

分类：行业趋势 时间：2008/3/31 阅读：106 关键词：NAND