NAND 闪存资讯-维库电子市场网【第24页】

东芝公司(Toshiba)不久前宣布推出和美国SanDisk公司共同开发的采用56nm工艺的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND闪存。16Gb是单芯片的业内容量。本次新产品采用多级单元技术(MLC)和改进

分类：新品快报时间：2007/2/7 阅读：283 关键词：NAND

SanDisk公司日前宣布开始与东芝合作，在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圆厂“Fab3”生产56纳米多层单元闪存。SanDisk和东芝原本是想推出52纳米NAND产品的，但由于该技术的复杂性，转向了56纳米技术。SanDisk将于今年

时间：2007/2/5 阅读：154 关键词：NAND

由英特尔、美光、意法半导体、海力士(Hynix)和索尼等30多家公司组成的ONFI工作组宣布，他们已经开发出了个能使消费电子和电脑集成NAND闪存变得更为简单的标准。开放式NAND闪存接口(OpenNANDFlashInterface，ONFI

分类：新品快报时间：2007/2/1 阅读：825 关键词：NAND

日前，由英特尔、美光、意法半导体、海力士(Hynix)和索尼等30多家公司组成的ONFI工作组宣布，他们已经开发出了个能使消费电子和电脑集成NAND闪存变得更为简单的标准。开放式NAND闪存接口(OpenNANDFlashInterface，O

分类：新品快报时间：2007/2/1 阅读：208 关键词：NAND

尽管预计NAND闪存价格在2007年会继续下滑，但全球的存储芯片制造商——韩国三星电子公司日前仍表示，该公司2007年NAND闪存出货量将比2006年大涨120%。尽管三星预计2007年NAND闪存的价格会比去年下降50%，但该公司表示，其8G

时间：2007/1/25 阅读：497 关键词：NAND

东芝公司今天宣布，即将推出和美国SanDisk公司共同开发的采用５６ｎｍ＊1工艺的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ闪存。１６Gb是单芯片的业内容量＊2。东芝从本月开始量产目前市场上主流的８GbNAND

分类：新品快报时间：2007/1/25 阅读：1040 关键词：NAND

闪存供应商Spansion日前发布了65nmMirrorBitORNAND解决方案样品，针对高端、多媒体手机中的数据存储进行了优化。该样品由Spansion位于美国得克萨斯州奥斯汀的Fab25工厂制造。用于手机的65nmMirrorBit系列产品将

分类：新品快报时间：2007/1/24 阅读：834

半导体制造技术国际学会“IEDM（InternationalElectronDevicesMeeting）2006”于2006年12月在美国的旧金山召开，笔者对期间举行的讨论会进行了采访。讨论会的主题是“半导体产业的技术推进器是NAND闪存，还是逻

分类：业界要闻时间：2007/1/23 阅读：346 关键词：NAND 半导体推进器

尽管预计NAND闪存价格在2007年会继续下滑，但全球的存储芯片制造商——韩国三星电子公司日前仍表示，该公司2007年NAND闪存出货量将比2006年大涨120%。尽管三星预计2007年NAND闪存的价格会比去年下降50%，但该公司表示，其8G

分类：名企新闻时间：2007/1/20 阅读：711 关键词：NAND

谁是NAND闪存行业的技术者呢？对此，日前有业界分析师警告说，这个问题可能没有答案，原因是在2007年的大部分时间中，厂商们将面对市场供过于求的困境。与此同时，三星电子和东芝两家公司都借全球首枚60纳米以下NAND闪存配件的样品展示或...

时间：2007/1/12 阅读：586 关键词：NAND

韩国三星电子日前表示，高通移动基站调制解调器(MobileStationModem，MSM)芯片组将支持其OneNAND闪存。OneNAND此前已经得到一些MSM芯片组的支持，现在对它的支持已扩展到更广泛的多媒体产品。三星表示，与高通的协议把One

时间：2006/12/26 阅读：254 关键词：MSM

2006年8月赴美挂牌的德国存储器大厂奇梦达（Qimonda），到现在为止刚好超过1季的时间，近来奇梦达股价表现可圈可点，其表现获得美国投资大众的高度认同，而之所以有这样的高度认同感，道理其实相当简单，那就是挂牌的地方是美国市场，最...

分类：名企新闻时间：2006/12/19 阅读：748 关键词：NAND

意法合资的意法半导体（STMicroelectronics）上市了采用70nm工艺制造的NAND闪存“F70SLC”系列。此次生产的是512Mbit～8Gbit产品，主要面向数据保存用途。消耗电流方面，90nm工艺的产品为30mA，而此次的产品降到

分类：名企新闻时间：2006/12/15 阅读：351 关键词：NAND 半导体

意法半导体宣布公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。高密度

分类：新品快报时间：2006/12/5 阅读：779 关键词：NAND

三星与东芝这两家闪存制造商长期统治着快速增长的NAND闪存市场。其中三星属于的玩家，不断采用先进工艺尺寸，以维持竞争优势。本期设计揭密将主要对这两家公司的闪存进行比较，同时也兼顾与Hynix、美光和英特尔等公司的比照。从历史来看...

分类：业界要闻时间：2006/12/1 阅读：778 关键词：NAND

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