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ST针对PC BIOS应用推出4 KB存储段粒度的16-Mbit页式可擦除串行闪存

意法半导体(ST)针对PCBIOS应用推出4KB存储段粒度的16-Mbit页式可擦除串行闪存50MHzSPI兼容总线,快速页式擦除,标准引脚,M25PE16是参数代码存储的解决方案意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)宣布,M25PE系列

分类:新品快报 时间:2006/11/29 阅读:294

闪存控制芯片品质有瑕疵 慧荣严正驳斥

针对中国地区媒体对其记忆卡控制芯片品质有所质疑的一篇报导,慧荣科技(SiliconMotionTechnology)发表声明提出澄清表示,该公司闪存控制芯片对于三星63mmMLC闪存搭配良好,兼容性及效能均佳,并无品质不良的问题。慧荣指出,该公司客

时间:2006/11/28 阅读:868

NAND闪存芯片市场前景堪忧

据市场调研机构IDC最近表示,今年与明年NAND闪存芯片市场的前景令人担忧。IDC表示,由于推动需求增长的因素显著匮乏,存储芯片制造商都在拼命的扩展产能,预期今年全球NAND闪存市场的规模将减少17%,激烈的竞争将导致价格下降,这一趋势...

分类:行业趋势 时间:2006/11/28 阅读:171 关键词:NAND

台积电和中芯国际进军闪存市场

11月25日消息,台积电和中芯国际正在积极的进入闪存市场,先前台积电已经开始制造NOR型闪存芯片,中芯国际将利用以色列Saifun半导体公司提供的技术生产NAND闪存。台积电在台南科技园区200毫米Fab6晶圆工厂生产NOR闪存芯片,为了提高产能...

分类:业界要闻 时间:2006/11/28 阅读:900

意法半导体串行闪存M25PE16工作频率高达50MHz具SPI兼容总线

意法半导体(ST)近日宣布M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-Mbit存储器芯片M25PE16,该产品适用于PCBIOS及光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子存储应用。作为ST公司首款子段粒度

分类:业界要闻 时间:2006/11/27 阅读:219 关键词:SPI

基于SUNFUN嵌入式NROM技术,中芯国际8GB闪存08年入市

中芯国际和SAIFUN半导体日前共同宣布将合作生产8GB数据闪存。这一基于SUNFUN嵌入式NROM技术和设计而成的产品,将有望于2008年进入市场。SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元四位元技术突破现有的非挥发性内存技术,比常规存储器容量增加

分类:新品快报 时间:2006/11/27 阅读:745

ST推出4KB存储段粒度的16-Mbit页式可擦除串行闪存

的串行闪存芯片供应商意法半导体今天宣布,M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-Mbit存储器芯片,该产品是PCBIOS应用以及光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子存储应用的选择。作为

分类:新品快报 时间:2006/11/24 阅读:1088

Atmel推出首款支持千兆字节以上存储容量的ARM7闪存微控制器

Atmel为基于ARM7?的USB微控制器SAM7系列增添三款新产品。全新的SAM7SE微控制器(MCU)备有32、256和512Kbyte的闪存容量选择,是业界配有外部总线接口(externalbusinterface,EBI)的ARM7MC

分类:新品快报 时间:2006/11/24 阅读:803 关键词:Atmel微控制器

中芯携手以色列芯片开发商开发8Gb闪存

以色列存储芯片开发商赛凡半导体(SaifunSemiconductors)与中国半导体制造厂商中芯国际周三联合宣布,双方将合作生产一种性价比更高的8Gb闪存芯片。据路透财经报道,两家公司称,这款独特的新产品将于2008年推出,它将采用中芯国际先

分类:业界要闻 时间:2006/11/23 阅读:712 关键词:以色列

SAIFUN 和中芯国际采用中芯先进工艺技术合作生产 8GB 数据闪存 的集成电路代工厂中芯国际采用 SUNFUN 嵌入式 NROM 技术和设计生产先进工艺 8GB 闪存

新华美通以色列那塔亚11月23日电:中芯国际集成电路制造有限公司(纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:0981)的集成电路代工厂之一和SAIFUN半导体,的非挥发性内存(NVM)技术提供商,今日共同宣布将采用中芯先进工艺技术合作生产

分类:业界要闻 时间:2006/11/23 阅读:3656

中芯国际携手以色列芯片开发商开发8Gb闪存

赛迪网讯11月23日消息以色列存储芯片开发商赛凡半导体(SaifunSemiconductors)与中国半导体制造厂商中芯国际周三联合宣布,双方将合作生产一种性价比更高的8Gb闪存芯片。据路透社报道,两家公司称,这款独特的新产品将于2008年推

分类:新品快报 时间:2006/11/23 阅读:981 关键词:以色列

瞄准集成应用,Spansion高密度MirrorBit Quad冲击NAND闪存

面对NAND闪存日益严峻的竞争威胁,NOR闪存供应商一方面在竭力维护NOR的主流地位,另一方面也在积极出击NAND闪存市场。近日,NOR闪存领域的玩家Spansion公司推出首款支持每单元四比特的MirrorBitQuad解决方案,后来居上地把

分类:名企新闻 时间:2006/11/22 阅读:750 关键词:NAND

ATMEL推出支持千兆字节以上的闪存微控制器

爱特梅尔公司(AtmelCorporation)现已为基于ARM7的USB微控制器SAM7系列增添三款新产品。全新的SAM7SE微控制器(MCU)备有32、256和512Kbyte的闪存容量选择,是业界配有外部总线接口(externalbusi

分类:新品快报 时间:2006/11/21 阅读:1147 关键词:ATMEL微控制器

三季NAND闪存销售增长11.8%达31亿美元

据国外媒体报道,市场调研机构iSuppli日前表示,全球第三季度的NAND闪存芯片销售收入与上季度相比增长了11.8%,达31亿美元。ISuppli称,由于便携式音乐播放器的销售令人失望,公司可能会调低第四季度NAND闪存芯片的销售预期。该调研机构

分类:业界动态 时间:2006/11/20 阅读:597 关键词:NAND

Q3 NAND 闪存销售增长11.8% 达31亿美元

据国外媒体报道,市场调研机构iSuppli日前表示,全球第三季度的NAND闪存芯片销售收入与上季度相比增长了11.8%,达31亿美元。ISuppli称,由于便携式音乐播放器的销售令人失望,公司可能会调低第四季度NAND闪存芯片的销售预期。该调研机构

分类:业界要闻 时间:2006/11/17 阅读:498 关键词:NAND