东芝继在第四季度利用三星NAND型MLC制程闪存产能投产不顺而在市场上四处活跃，全力为自己产品打造舆论优势后，日前再度放言将在后年将大量增加NAND型闪存产能，期待2008年的最终产能能够比今年年底增长2倍以上，此言一出引起业界一阵轰动...
IBM和两家合作伙伴的科学家已经开发出一种新型材料，他们认为这将催生新型的内存芯片，满足日益增长的存储数字音乐、图像、视频的需求。本周一，IBM以及Qimonda和Macronix的研究人员将在国际电子设备会议上宣读阐述这一技术的论文。研究...
意法半导体(STMicroelectronics)宣布将现有产品划分为三大事业群的组织重组计划。根据新的组织架构，ST将现有的公司产品划分成特殊应用产品部(ApplicationSpecificGroups，ASG)、闪存产品部(FlashMemo
分类：名企新闻 时间：2006/12/20 阅读：265 关键词：ST
2006年8月赴美挂牌的德国存储器大厂奇梦达（Qimonda），到现在为止刚好超过1季的时间，近来奇梦达股价表现可圈可点，其表现获得美国投资大众的高度认同，而之所以有这样的高度认同感，道理其实相当简单，那就是挂牌的地方是美国市场，最...
分类：名企新闻 时间：2006/12/19 阅读：750 关键词：NAND
意法合资的意法半导体（STMicroelectronics）上市了采用70nm工艺制造的NAND闪存“F70SLC”系列。此次生产的是512Mbit～8Gbit产品，主要面向数据保存用途。消耗电流方面，90nm工艺的产品为30mA，而此次的产品降到
在消费电子产业日渐繁荣的带动下，闪存市场很可能将成为芯片代工的下一座金矿。11月23日，中芯国际和以色列半导体公司赛芬(Saifun)联合宣布，中芯国际将利用赛芬半导体每单元四比特QuadNROM技术推出8GB储存容量的NAND芯片，新的闪存芯片...
分类：业界要闻 时间：2006/12/14 阅读：740 关键词：芯片
据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于前者500~1000倍，能耗也将大
分类：新品快报 时间：2006/12/13 阅读：343
单片机和模拟半导体供应商MicrochipTechnology不久前宣布推出首款配备多种外设的通用闪存PIC单片机，有助于实现更具成本效益的风扇或小型电机控制。全新14引脚PIC16F616/610和8引脚PIC12F615/609单片机集成了多种
中芯国际和以色列半导体公司赛芬（Saifun）联合宣布，中芯国际将利用赛芬半导体每单元四比特QuadNROM技术推出8GB储存容量的NAND芯片，新的闪存芯片预期将于2008年投放市场。尽管这条消息包含诸多晦涩难懂的科技术语，但是隐约其后的事实...
分类：名企新闻 时间：2006/12/12 阅读：820
金融分析师表示，计算机芯片制造商英特尔公司可能很快将宣布出售它亏损的NOR闪存芯片业务。在英特尔努力削减成本与主要对手AMD公司展开激烈竞争的时候出现了这些传言，业界认为这不是空穴来风。英特尔对位于旧金山的市场调研机构American...
分类：行业趋势 时间：2006/12/11 阅读：777 关键词：英特尔
中国闪存盘主要厂商朗科公司(Netac)日前发布一款USB2.0闪存盘控制芯片优芯3号，并宣布成立专属的芯片销售团队，标志着朗科开始全面进军IC设计领域。事实上，朗科公司早在2003年就成功研制出闪存盘控制芯片优芯1号，2005年又推出优芯2号。...
分类：业界要闻 时间：2006/12/8 阅读：842
意法半导体宣布公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。高密度
分类：新品快报 时间：2006/12/5 阅读：784 关键词：NAND
擎泰科技(SkymediCorporation)日前宣布其研发的新一代SD2.0/MMC4.2的combo快闪记忆卡控制芯片,SK6621及USB2.0随身碟控制芯片，SK6281，在多层单元(Multi-LevelCell，MLC)闪存的支持与速
分类：名企新闻 时间：2006/12/5 阅读：811 关键词：MLC
Atmel闪存微控制器AT89C51RE2具Windows IDE界面硬件调试系统
爱特梅尔公司(AtmelCorporation)推出闪存微控制器AT89C51RE2，它带有128Kbyte闪存程序存储器，适用于I/O管理、功耗管理、工业与发动机控制、智能传感器和机顶盒之类的工业与消费产品。AT89C51RE2是对现存的16
三星与东芝这两家闪存制造商长期统治着快速增长的NAND闪存市场。其中三星属于的玩家，不断采用先进工艺尺寸，以维持竞争优势。本期设计揭密将主要对这两家公司的闪存进行比较，同时也兼顾与Hynix、美光和英特尔等公司的比照。从历史来看...
分类：业界要闻 时间：2006/12/1 阅读：780 关键词：NAND
