富士通微电子推出专为下一代汽车应用所设计的全新MB91460系列的闪存MCU微控制器。MB91F467D是在MB91F362G仪表板微控制器的基础上开发而成，与MB91F362G相比速度更快，存储量更大，功能更多。MB91F467D是继MB91
日前，由英特尔、美光、意法半导体、海力士(Hynix)和索尼等30多家公司组成的ONFI工作组宣布，他们已经开发出了个能使消费电子和电脑集成NAND闪存变得更为简单的标准。开放式NAND闪存接口(OpenNANDFlashInterface，O
分类：新品快报 时间：2007/2/1 阅读：213 关键词：NAND
中芯国际CEO张汝京日前表示，在重点发展逻辑电路的同时，中芯还要满足消费者对闪存的需求。据digitimes网站报道，张汝京称，自从2006年7月展示首批NAND闪存后，中芯国际已经开始量产。中国市场对NAND闪存的需求是巨大的，因此中芯是不会...
分类：业界要闻 时间：2007/1/30 阅读：726
1月26日消息，中芯国际CEO张汝京日前表示，在重点发展逻辑电路的同时，中芯还要满足消费者对闪存的需求。据digitimes网站报道，张汝京称，自从2006年7月展示首批NAND闪存后，中芯国际已经开始量产。中国市场对NAND闪存的需求是巨大的，因
时间：2007/1/29 阅读：518
富士通微电子公司(FujitsuMicroelectronics)宣布推出全新MB91460系列之首款闪存微控制器MB91F467D。此全新组件不仅针对下一世代汽车电子应用所设计，并采用0.18μm制程技术，具备更快的速度，更大的存储容量、以及更多
1月25日消息日本东芝公司周三表示，针对竞争对手三星电子3月份将出货首款2GBNAND闪存的计划，东芝将自4月份也开始批量生产同样容量的闪存芯片。据路透社报道，分析师指出，苹果音乐手机iPhone横空出世，闪存需求很有可能将因而激增，做为...
时间：2007/1/26 阅读：643 关键词：iPhone
尽管预计NAND闪存价格在2007年会继续下滑，但全球的存储芯片制造商——韩国三星电子公司日前仍表示，该公司2007年NAND闪存出货量将比2006年大涨120%。尽管三星预计2007年NAND闪存的价格会比去年下降50%，但该公司表示，其8G
时间：2007/1/25 阅读：501 关键词：NAND
随着资料储存需求日益增加，以NANDFlash为储存工具的闪存盘近年产量飞快成长；能满足闪存盘“高储存量”、“高传输性”及“安全保密性”三大特性的U3技术平台，则被视为改变PC产业未来的明日之星。拓墣产业研究所(TopologyResearchIn
时间：2007/1/25 阅读：275 关键词：中国
东芝公司今天宣布，即将推出和美国SanDisk公司共同开发的采用５６ｎｍ＊1工艺的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ闪存。１６Gb是单芯片的业内容量＊2。东芝从本月开始量产目前市场上主流的８GbNAND
分类：新品快报 时间：2007/1/25 阅读：1047 关键词：NAND
闪存供应商Spansion日前发布了65nmMirrorBitORNAND解决方案样品，针对高端、多媒体手机中的数据存储进行了优化。该样品由Spansion位于美国得克萨斯州奥斯汀的Fab25工厂制造。用于手机的65nmMirrorBit系列产品将
分类：新品快报 时间：2007/1/24 阅读：838
半导体制造技术国际学会“IEDM（InternationalElectronDevicesMeeting）2006”于2006年12月在美国的旧金山召开，笔者对期间举行的讨论会进行了采访。讨论会的主题是“半导体产业的技术推进器是NAND闪存，还是逻
富士通微电子推出专为下一代汽车应用所设计的全新MB91460系列的闪存MCU微控制器。MB91F467D（0.18m）是在MB91F362G仪表板微控制器的基础上开发而成，与MB91F362G相比速度更快，存储量更大，功能更多。MB91F467
1月19日消息，据国外媒体报道，针对当前有关“英特尔将出售闪存业务”的报道，英特尔首席财务官安迪-布赖恩特（AndyBryant）给予了否认。据CRN网站报道，以色列财经报纸《Globes》16日报道，称英特尔可能出售位于以色列QiryatGat地
时间：2007/1/20 阅读：526 关键词：英特尔
尽管预计NAND闪存价格在2007年会继续下滑，但全球的存储芯片制造商——韩国三星电子公司日前仍表示，该公司2007年NAND闪存出货量将比2006年大涨120%。尽管三星预计2007年NAND闪存的价格会比去年下降50%，但该公司表示，其8G
分类：名企新闻 时间：2007/1/20 阅读：715 关键词：NAND
记忆卡控制IC市场经历2006年洗牌后，台厂五强正式出列，值得注意的是，五强背后来头个个不容小觑，分别代表NAND型快闪存储器产业中最有势力的三个阵营，包括三星、东芝、Intel，随著各家产能大开，为掌握小型记忆卡市场，甚至未来走入PC...
分类：业界要闻 时间：2007/1/19 阅读：1296
