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闪存止跌无望 SanDisk不堪重负裁员降薪

由于NAND闪存芯片价格持续狂跌,全球的闪存卡制造商SanDisk近期传出消息,计划裁员10%。同时,SanDisk计划调的所有的高管的薪水,其CEOEliHarari将减薪20%。SanDisk公司的CEOEliHarari明确指出,由于新的

时间:2007/2/27 阅读:123

ST推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术,65nmPR系列闪存的软硬件兼容现有的90nmPR系列NOR闪存,为客户升级现有系统提供了一条捷径,同时还提高

分类:新品快报 时间:2007/2/27 阅读:699

应对闪存芯片价格下滑 SanDisk宣布裁员10%

enet硅谷动力消息据国外媒体报道,美国数码相机和数字音乐播放器闪存芯片生产商sandisk公司于当地时间本周五发表声明称,为了弥补近来闪存芯片价格大幅下滑带来的不利影响,该公司计划裁员10%,同时还将下调公司高管薪酬。与此同时,san...

分类:名企新闻 时间:2007/2/26 阅读:755

春节难救局 NAND闪存价格继续下滑

据台湾媒体引述市场消息人士说,尽管春节即将来临,NAND闪存的价格下跌仍然在继续,没有出现止跌企稳的迹象,各大NAND闪存生产商仍然在调低报价。根据DRAMeXchange发布的数据,今年一月份上旬,NAND闪存价格环比下跌了两成,在一月份的中...

时间:2007/2/8 阅读:544 关键词:NAND

东芝发布8Gb/16Gb NAND闪存,采用56nm工艺制造

东芝公司(Toshiba)不久前宣布推出和美国SanDisk公司共同开发的采用56nm工艺的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND闪存。16Gb是单芯片的业内容量。本次新产品采用多级单元技术(MLC)和改进

分类:新品快报 时间:2007/2/7 阅读:288 关键词:NAND

Spansion硅谷研发中心转向300mm闪存晶圆

闪存供应商Spansion今天宣布,该公司的亚微米开发中心(SDC)已经成功地完成了从200mm向300mm的转变。该中心是Spansion的研发总部,同时也是为Spansion所有闪存产品线开发先进制程的核心部门。由此,Spansion成为正

分类:新品快报 时间:2007/2/7 阅读:608

Spansion研发中心转向300mm闪存晶圆开发

Spansion宣布,公司的亚微米开发中心已经成功地完成了从200mm向300mm的转变。该中心是Spansion的研发总部,同时也是为Spansion所有闪存产品线开发先进制程的核心部门。由此,Spansion成为正在开发300mm闪存晶圆的

分类:名企新闻 时间:2007/2/6 阅读:888

Spansion硅谷研发中心转向300mm闪存晶圆开发

Spansion宣布公司的亚微米开发中心(SDC)已经成功地完成了从200mm向300mm的转变。该中心是Spansion的研发总部,同时也是为Spansion所有闪存产品线开发先进制程的核心部门。由此,Spansion成为正在开发300mm闪

分类:名企新闻 时间:2007/2/6 阅读:992

受无线市场拖累 意法闪存业务有意另立门户

意法半导体(ST)日前预测,由于受到某些市场库存方面影响,其2007年第1季度销售将下降11%,总边际利润也将轻微下滑。该公司总裁兼首席执行官CarloBozotti在宣布2006年第4季度业务表现时透露,市场环境已经开始转向“艰难”。在2006年

分类:名企新闻 时间:2007/2/6 阅读:154

无线市场拖累整体表现, 意法闪存业务有意另立门户

意法半导体(ST)日前预测,由于受到某些市场库存方面影响,其2007年第1季度销售将下降11%,总边际利润也将轻微下滑。该公司总裁兼首席执行官CarloBozotti在宣布2006年第4季度业务表现时透露,市场环境已经开始转向“艰难”。在2006年

分类:名企新闻 时间:2007/2/6 阅读:662

富士通闪存微控制器MB91460系列用于汽车仪表

富士通微电子(上海)有限公司推出专为下一代汽车应用所设计的全新MB91460系列的闪存MCU。MB91F467D是在MB91F362G仪表板微控制器的基础上开发而成,与MB91F362G相比速度更快,存储量更大,功能更多。MB91F467D是继

分类:新品快报 时间:2007/2/5 阅读:619 关键词:富士通汽车仪表微控制器

挑战密度极限 东芝和SanDisk携手56纳米NAND闪存制造

SanDisk公司日前宣布开始与东芝合作,在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圆厂“Fab3”生产56纳米多层单元闪存。SanDisk和东芝原本是想推出52纳米NAND产品的,但由于该技术的复杂性,转向了56纳米技术。SanDisk将于今年

时间:2007/2/5 阅读:159 关键词:NAND

闪存内存价格均大跌

微软的Vista正式上市之后,业界预期Vista拉伸的闪存和内存价格却双双大跌,令不少厂商此前因为看好Vista效应而扩充12英寸晶元产能心思白费。由于Vista被认为需要1GB的内存才能运行流畅,并且具备可利用闪存加速系统运行的Ready

分类:维库行情 时间:2007/2/2 阅读:1104 关键词:内存

闪存内存价格均大跌 Vista拉动效应不明显

PConline上海1月31日微软的Vista正式上市之后,业界预期Vista拉伸的闪存和内存价格却双双大跌,令不少厂商此前因为看好Vista效应而扩充12英寸晶元产能心思白费。由于Vista被认为需要1GB的内存才能运行流畅,并且具备可利

时间:2007/2/2 阅读:333 关键词:Vista

ONFI发布集成NAND闪存简单标准

由英特尔、美光、意法半导体、海力士(Hynix)和索尼等30多家公司组成的ONFI工作组宣布,他们已经开发出了个能使消费电子和电脑集成NAND闪存变得更为简单的标准。开放式NAND闪存接口(OpenNANDFlashInterface,ONFI

分类:新品快报 时间:2007/2/1 阅读:830 关键词:NAND