2019年成为全球5G网络商用元年，各国纷纷上马5G网络，另外电信设备商、智能手机制造商也开始纷纷争夺5G设备市场的蛋糕。据外媒消息，韩国三星电子、LG电子两大手机厂商日前...
5G还没正式商用，很多国家和公司已经开始5G的部署和建设，旨在提前抢占市场。当然也有一些人，5G还技术尚未普及，就抢跑开始预研下一代移动通信技术6G。 据外媒消息，美国联邦通信委员会（FCC）日前已经开始为6G研发在无线电频率方...
分类：业界动态 时间：2019/3/19 阅读：328
近日，在IMT-2020(5G)推进组组织的中国5G技术研发试验第三阶段测试中，中兴通讯顺利完成了2.6GHz频段下5G基站NR测试。测试单用户下行峰值速率达到了目前业界的3.2Gbps。 ...
分类：业界动态 时间：2019/1/22 阅读：428 关键词：中兴通讯
格罗方德展示基于先进14nm FinFET工艺技术的业界56Gbps长距离SerDes
格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56GbpsSerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14TM具有56GbpsSerDes，致力于为提高功率和性能的客户需求而生，亦为应对最严
今天,希捷在京发布了一款全球最快且拥有容量的主流台式机硬盘--BarracudaXT,具备7200RPM转速,2TB容量和高速的SATA6Gb/s接口.该款业内首先采用SATA6Gb/s接口的3.5英寸台式机硬盘,可满足游戏、数字视频环境及其他
分类：新品快报 时间：2009/11/16 阅读：866
日前，LSI公司宣布推出基于6Gb/sSAS技术的新一代高性能MegaRAIDSATA+SASRAID控制器。MegaRAID9200系列控制器拥有创新的6Gb/sSAS产品特性，并且支持SATA、SAS和固态硬盘（SSD），可为中小企业提供卓越的
LSI公司日前宣布，美超微电脑股份有限公司选用LSI的6Gb/sSAS片上RAID(ROC)和MegaRAID产品支持其新一代入门级和企业级服务器平台。随着市场向6Gb/sSAS技术转型的条件日臻成熟，越来越多的一级OEM厂商正采用LSIROC和S
分类：名企新闻 时间：2009/2/6 阅读：701 关键词：SAS
LSI宣布Supermicro选用LSI的6Gb/s SAS技术
日前，LSI公司宣布，美超微电脑股份有限公司(Supermicro)选用LSI的6Gb/sSAS片上RAID(ROC)和MegaRAID产品支持其新一代入门级和企业级服务器平台。随着市场向6Gb/sSAS技术转型的条件日臻成熟，越来越多的一级OEM
分类：名企新闻 时间：2009/2/6 阅读：342 关键词：SAS
日前，LSI公司宣布，Dell、FujitsuSiemensComputers、IBM、Intel、NEC和Sun公司(SunMicrosystems)均选择其6Gb/sSAS片上RAID(ROC)解决方案来实现新一代入门级到企业级服务器平台。据I
分类：名企新闻 时间：2008/11/4 阅读：231 关键词：SAS
海力士开发16GB的DDR3 2-Rank R-DIMM，使用MetaRAM的技术增大容量
韩国海力士半导体（HynixSemiconductor）开发成功了存储容量16GB的DDR32-RankRegisteredDIMM（R-DIMM）“HMT32GR7AER4C-GD”和8GB的DDR32-RankR-DIMM“HMT31GR7AE
分类：名企新闻 时间：2008/8/28 阅读：564 关键词：DDR3
2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的
东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的地位，于今日宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的...
当地时间本周三，韩国三星电子公司宣布，它已经开发出16晶片封装技术，在一个多晶片封装中塞入16个NAND晶片，使它的储存密度达到16GB。成为一款消费电子产品渴望的储存装置。三星称，新的封装技术使晶片的厚度只有30微米，是目前三星提供...
分类：业界要闻 时间：2007/3/2 阅读：780
