光迹融微发布集成20V／10A高压效应管激光管驱动芯片LT－M2010D
LT-M2010D是一款单通道5V/3.3V驱动器，多级驱动级，对内部集成的高电压场效应管进行驱动，最高瞬时电流可达10A。可以应用于多种场景，激光雷达、飞行时间激光驱动器、E类无...
分类：新品快报 时间：2024/2/20 阅读：303 关键词：电子
Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率G...
时间：2022/6/23 阅读：118
Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET...
分类：新品快报 时间：2021/4/28 阅读：3906
Infineon - 英飞凌率先采用300毫米薄晶圆工艺批量生产新一代汽车功率场效应管
2015年5月20日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析：irf4905产品近一段时间销量较稳定，网上搜索、报价较多，零售价在4.00元，量大价优。irf4905基本参数：封装：TO220品牌：IR闸电荷(Qg)@Vgs：180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：3400
分类：维库行情 时间：2011/10/25 阅读：1667
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外，对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点：（1）场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流...
时间：2008/9/2 阅读：1559
场效应管有两大类，结型场效应管和绝缘栅型场效应管。每种类型的场效应管按导电沟道又可分为N型沟道和P型沟道，按工作方式又可以分为增强型和耗尽型。绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处在于它们的导电机构不同。绝缘栅型场效应管...
时间：2008/9/2 阅读：3678
卓芯微电子(InnovaSemi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方
分类：新品快报 时间：2008/7/15 阅读：1519 关键词：微电子
卓芯微电子(InnovaSemi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方
分类：新品快报 时间：2008/7/14 阅读：298 关键词：微电子
MIRAI使用标准工艺开发出等效氧化层厚0.5nm的MOS场效应管
半导体MIRAI项目的子项目组通过标准的MOS制造工艺（Gate-firstProcess，先加工栅极工艺）开发成功了等效氧化层厚度（EOT）为0.5nm的极薄型MOS场效应管（演讲序号20.2）。通过在栅叠层（GateStack）上使用高介电率（
分类：政策标准 时间：2007/12/17 阅读：640 关键词：MOS
Toshiba打造GaN功率场效应管，应用于Ku波段中高功率输出
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管，这种场效应管应用频率在Ku波段（12-GHzto18-GHz）可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中，在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
分类：名企新闻 时间：2007/10/30 阅读：530 关键词：Toshiba
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然现在多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。结型场效应管的栅源电压不...
分类：业界要闻 时间：2007/5/24 阅读：316
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效...
分类：业界要闻 时间：2007/5/24 阅读：678
DirectMeasurementofThresholdVoltagesofFieldTransistorUsingTransistorswithFeedbackofDeepInversionZalink公司JohnEllis传统上，采用多晶硅栅极
分类：业界要闻 时间：2007/1/23 阅读：347 关键词：晶体管
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万...
分类：业界要闻 时间：2007/1/22 阅读：1342 关键词：用万用表
