2019年上半年NAND Flash跌势难止 Q1续跌10%
TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)分析，2018年NAND Flash供货商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。然于年底旺季时中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。 展望2019年上半年，...
分类：维库行情 时间：2018/12/18 阅读：1651 关键词：NAND Flash
2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。不过由于年底全球经济形势依旧不容乐观、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素叠加，导致旺季不旺。 展望2019年上半年，尽管原厂对扩充产能态度保守，甚至开始...
分类：行业趋势 时间：2018/12/18 阅读：993 关键词：NAND Flash
Cypress与SK海力士子公司成立合资企业 经营NAND Flash业务
近日，Cypress半导体（赛普拉斯）公司宣布已与SK海力士旗下子公司SK Hynix System IC成立合资公司。该合资企业将设立在香港。在股权分配上，SK Hynix System IC公司占有60％的股份，Cypress公司则拥有40％的股权。 在合作的前五年时...
分类：名企新闻 时间：2018/10/31 阅读：731 关键词：NAND Flash
DRAM和NAND Flash合约价持续下跌，三星或大幅减少投资
据TrendForce旗下的DRAMeXchange发布的报告显示，本应该是购物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势，其中DRAM预估下滑5%或更多。 虽然DR...
分类：维库行情 时间：2018/10/11 阅读：2337 关键词：DRAMNAND Flash
大伙儿关心的内存和SSD产品价格在年内有望继续迎来一波减价。 据TrendForce旗下的DRAMeXchange发布的报告显示，本应该是购物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势，其中DRAM预估下滑5%或更多。 虽...
分类：维库行情 时间：2018/10/10 阅读：1935 关键词：DRAMNAND Flash
SK海力士韩国M15工厂落成 未来冲刺NAND Flash市场
根据韩国媒体报导，韩国存储器大厂SK海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂启用典礼，并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器，这也将巩固SK海力士全球第二大存储器制造商的地位。 报导指出，SK海力士在M1...
分类：名企新闻 时间：2018/10/9 阅读：760 关键词：NAND Flash市场SK海力士
对于一个多月前在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布的突破性技术Xtacking，长江存储执行董事长高启全接受中国证券报记者专访表示，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。未来十年...
分类：行业访谈 时间：2018/9/26 阅读：615 关键词：长江存储
日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式；东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑，表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。 Toshiba 于2017 年2 月开始兴建6 号...
分类：名企新闻 时间：2018/9/20 阅读：438 关键词： NAND Flash东芝
闪存（NAND Flash）控制芯片及存储器解决方案厂商群联电子董事长潘健成，今(19)日受邀于CFMS 2018 (中国闪存市场峰会)发表演讲，他直言：“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，从种...
分类：名企新闻 时间：2018/9/20 阅读：451 关键词：Flash控制芯片
根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)报告指出，NAND Flash市场在2018年季受传统淡季影响，导致市场转为供过于求。第二季随着智能手机需求复苏、中国智能手机厂商提升...
分类：维库行情 时间：2018/8/21 阅读：1980 关键词：内存v
在本周于美国加州举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上，全球几家主要的记忆体制造商纷纷表示看好3D NAND快闪记忆体(flash)的未来发展，并透露了一部份的开发蓝图。而其最近的竞争对手——长江存储科技公司(Yangtze Memory Tec...
分类：名企新闻 时间：2018/8/10 阅读：436 关键词：NAND Flash长江存储
东芝记忆体获得中国核准，是否能提升其在NAND Flash的竞争力
继2017年DRAM，NAND Flash双双出现价量齐扬，推升全球半导体销售额强劲成长，并首度超越4,000亿美元大关之后，2018年DRAM，NAND Flash价格则呈现两涨情，出现一涨一跌的局...
【存储】2018年DRAM，NAND Flash价格一跌一涨
继2017年DRAM，NAND Flash双双出现价量齐扬，推升全球半导体销售额强劲成长，并首度超越4,000亿美元大关之后，2018年DRAM，NAND Flash价格则呈现两涨情，出现一涨一跌的局面，其中的关键则是供给端的部分，特别是国际大厂是否突破制程瓶...
包括韩、日、美系存储器大厂为降低NAND Flash生产成本，提升产品竞争力，近期纷加速更高层堆叠及四阶储存单元(Quadruple Level Cell；QLC)产品开发，其中，三星电子(Samsun...
2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道：中国代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产。 ...
分类：业界动态 时间：2018/5/17 阅读：801 关键词：NAND Flash存储芯片
