SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平台。该平台可以有效降低CMOS集成电路2倍以上的功耗，同时保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半导体有限公司(FujitsuSemiconductorLimited)今天还共同宣布，富
SpringSoft最近宣布Verdi自动化侦错系统开始完全支持UniversalVerificationMethodology(简称UVM)。Verdi软件在既有的HDL侦错平台上新增全新的UVM源代码与交易级(TransactionLevel)
分类：新品快报 时间：2011/6/9 阅读：618
由一群矽谷老将成立的SuVolta公司宣称已开发出一种技术，能减少电脑晶片耗电量50%，藉此延长可携式装置的电池续航力，这将协助晶片制造商和英特尔等晶片巨擘并驾齐驱。富士通公司已向SuVolta取得技术授权。矽谷新创公司SuVolta6日宣布，...
分类：新品快报 时间：2011/6/7 阅读：1297 关键词：富士通
设计工程师公认拥有业界最广泛的电子元件选择且能立即交付的电子元件经销商Digi-Key公司与SynJet热管理技术制造商Nuventix,Inc.已签订全球经销协议。Nuventix销售与营销高级副总裁ThomasDalton表示：“能够与Digi
分类：名企新闻 时间：2011/5/20 阅读：363 关键词：Digi
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技术总监SamSivak
面向超越22nm工艺的最半导体而正在研发的新技术——采用13.5nm这一超短波长的新一代曝光技术EUV（extremeultraviolet）即将展露锋芒。由于EUV曝光技术实现了半导体的极小线宽，因而被称为“的曝光技术”。另一方面，与现有
分类：业界要闻 时间：2010/11/2 阅读：874
目前次世代微影技术发展仍尚未有主流出现，而身为深紫外光(EUV)阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(IMEC)总裁LucVandenhove指出，EUV技术最快于2014年可望进入量产，而应用存储器制程又将早于逻辑制程，他也指出，无光罩多重电子
分类：业界要闻 时间：2010/10/25 阅读：427
泰科电子日前推出面向太阳能光电（PV）行业的最小型之一的接线盒——SOLARLOK小型接线盒。该接线盒尺寸为15.5mmx52mm，采用紧凑便捷的设计为太阳能电池板传输DC电力，并降低在电池板背面的可见性全新产品通过了TUV认证，能够满足严
筱田等离子与神户大学、兵库县立工业技术中心以及日本YUMEX共同开发出了采用筱田等离子开发的显示器“PTA（PlasmaTubeArray）”的薄膜型紫外线（UV）面光源。目标是实际应用于紫外线治疗等医疗及产业用途。此次开发的面光源，面向医疗用...
分类：业界要闻 时间：2010/9/16 阅读：1204 关键词：等离子
未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的CJMuse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战...
分类：业界要闻 时间：2010/7/29 阅读：766
继晶圆代工大厂台积电宣布跨入深紫外光(EUV)微影技术后，全球晶圆(GlobalFoundries)也在美国时间14日于SEMICONWest展会中宣布，投入EUV微影技术，预计于2012年下半将机台导入位于美国纽约的12寸晶圆厂(Fab8)，将于
分类：名企新闻 时间：2010/7/20 阅读：294
新兴公司SuVolta发布新型低功耗晶体管SOI JFET技术
SuVolta公司，前身名为DSMSolutions的新兴公司，近期透露了关于该公司计划通过采用互补结FET技术实现低功耗IC运行的一些细节。SuVolta公司的CTO---AshokKapoor于不久前在英国哥伦比亚省惠斯勒市举行的2010CMO
Altera推出业界首款符合TUV的工业安全数据套装，缩短了开发时间
继续提供创新解决方案以满足当今不断发展的安全标准，Altera公司在不久前发布适用于自动化应用的工业安全数据套装。此次发布是在德国纽伦堡嵌入式世界会展上进行的。与德国安全认证组织TUVRheinland合作，Altera推出了经过预认证的开发工...
分类：新品快报 时间：2010/3/19 阅读：194
450mm晶圆,EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟至2015-2016年
半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术（EUV）投入实用的时间点将再度后延。据ICInsights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望开始实
分类：名企新闻 时间：2010/1/26 阅读：746
东芝开发出了用于EUV(ExtremeUltraviolet)曝光的负型低分子光刻胶(Resist),并公布了对线宽/线间隔(L/S)为22nm的图案进行解像的成果.在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)
分类：业界要闻 时间：2009/11/20 阅读：418 关键词：分辨率
