MOSFET技术资料-维库电子市场网【第5页】

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电...

基础电子时间：2025/7/22 阅读：298

在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...

设计应用时间：2025/7/10 阅读：177

在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了...

基础电子时间：2025/7/10 阅读：133

在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步，开关损耗也在持续降低。然而，随着开关速度的不断提高，设计人...

设计应用时间：2025/6/24 阅读：194

在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...

设计应用时间：2025/6/19 阅读：198

在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...

设计应用时间：2025/5/30 阅读：279

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...

基础电子时间：2025/5/19 阅读：342

在当今电子设备飞速发展的时代，快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求，全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有突破性的 30V 耐压共...

基础电子时间：2025/5/16 阅读：279

增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特...

基础电子时间：2025/4/29 阅读：268

提供精确电压和泄漏电流平衡的新MOSFET已准备好服务于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超级电容器。几乎没有电源来平衡细胞平衡，并促进了在串联串联堆栈中为每个超级电容器的电...

设计应用时间：2025/4/11 阅读：1179

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网