三星在大约两周前披露了其下一代Exynos8OctaSoC，而现在，该公司又宣布了Exynos8890将会是该家族首款成员的消息。三星为该芯片投入了硅产业内最新的技术，包括14nmFinFET制程、在单芯片上整合应用处理器和强大的新款LTEmode
新品速递 时间：2015/11/26 阅读：30325
TA8814N是彩电γ校正电路（即彩色瞬态特性改善电路），为20脚双列直插式塑料封装，在东芝FS33机芯、东芝TC-3机芯、长虹C2919P型大屏幕彩电上的正常工作电压典型检测数据如...
基础电子 时间：2008/6/20 阅读：1796
产品型号:NTD14N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117最大漏极电流Id(on)(A):14通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:14A,25V功率MOSFET价
基础电子 时间：2007/4/18 阅读：1481
产品型号:NTD14N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117最大漏极电流Id(on)(A):14通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:14A,25V功率MOSFET价格/1
基础电子 时间：2007/4/18 阅读：1482
产品型号:SN74AHCT14N封装/温度(℃):PDIP-14/-40~85描述:六施密特触发反相器价格/1片(套):￥1.30来源:xiangxueqin
基础电子 时间：2007/4/18 阅读：1473
产品型号:SN74AHC14N封装/温度(℃):PDIP-14/-40~85描述:六施密特触发反相器价格/1片(套):￥1.30来源:xiangxueqin
基础电子 时间：2007/4/18 阅读：1413
