IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压和高电流的控制。以下...
基础电子 时间：2024/6/24 阅读：199
下面以FGA25N120型IGBT为例，介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT，它有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C亦称漏极）及发射...
设计应用 时间：2024/5/10 阅读：219
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比，IGBT具有更低...
基础电子 时间：2024/1/23 阅读：466
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：559
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控...
设计应用 时间：2023/10/13 阅读：845
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
设计应用 时间：2023/10/10 阅读：870
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
设计应用 时间：2023/10/8 阅读：547
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
设计应用 时间：2023/9/5 阅读：368
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
设计应用 时间：2023/8/31 阅读：461
本应用笔记介绍了在开关模式电源电路中运行的 IGBT 的数值算法，以确定其损耗。该设计示例使用经过测试和分析的 600 W 零电流开关升压 PFC（功率因数校正）电路，以准确预测从工作电路获得的损耗。预测损耗逐项列出，以便设计人员可以快...
基础电子 时间：2023/8/24 阅读：1271
