俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择Z适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型...
基础电子 时间：2021/10/27 阅读：541
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下， 比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSF...
设计应用 时间：2020/1/13 阅读：602
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案...
新品速递 时间：2019/1/29 阅读：15552
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案...
新品速递 时间：2019/1/28 阅读：717
英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和...
新品速递 时间：2018/8/27 阅读：946
导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。...
技术方案 时间：2014/4/3 阅读：1961
基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要：绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SD...
设计应用 时间：2014/1/22 阅读：3628
高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干，用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低导通电阻。通过结合应...
其它 时间：2011/7/10 阅读：3142
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低于1mOhm的30VMOSFET器件，采用Power56封装，型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关
新品速递 时间：2009/9/7 阅读：3294
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。 Diodes 亚太区技术市...
新品速递 时间：2009/8/12 阅读：2710
