采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J ...
基础电子 时间：2024/9/5 阅读：182
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三...
基础电子 时间：2024/8/28 阅读：243
区分电极 在区分 IGBT 各电极时，万用表选择二极管测量挡，红、黑表笔接任意两个引脚，正、反各测一次，当某次测量出现显示值在0.400～0.800范围的数值时，如图7—20（b...
设计应用 时间：2024/8/19 阅读：160
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压和高电流的控制。以下...
基础电子 时间：2024/6/24 阅读：387
下面以FGA25N120型IGBT为例，介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT，它有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C亦称漏极）及发射...
设计应用 时间：2024/5/10 阅读：264
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比，IGBT具有更低...
基础电子 时间：2024/1/23 阅读：533
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：631
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控...
设计应用 时间：2023/10/13 阅读：930
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
设计应用 时间：2023/10/10 阅读：909
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
设计应用 时间：2023/10/8 阅读：599
