Infineon - 英飞凌 CoolGaN 功率晶体管赋能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，领先的音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得...
时间：2025/3/18 阅读：70 关键词：英飞凌
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。 Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管 跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...
分类：新品快报 时间：2024/8/29 阅读：333 关键词：双极功率晶体管
Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低...
时间：2024/8/8 阅读：132 关键词：英飞凌
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产...
分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：386 关键词：晶体管
瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管
瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。 瑞萨电子表示：“随着此次收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计，以满足对宽...
分类：名企新闻 时间：2024/6/24 阅读：502 关键词：瑞萨电子
Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管
该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），...
分类：新品快报 时间：2023/9/11 阅读：571 关键词：MPU
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） ...
分类：新品快报 时间：2023/7/21 阅读：470 关键词： GaN 功率晶体管
据ICinsights分析，功率晶体管销售额在2022年有望增长11%，预计今年将达到245亿美元，连续第六次创下历史新高，这主要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格(ASP)创下...
分类：业界动态 时间：2022/10/10 阅读：779
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC2050，这是一款350VGaN晶体管，zui大RDS(on)为80mΩ，脉冲输出电流为26A。EPC2050的尺寸仅为1.95mmx1.95mm，与采用等效硅器件的解...
分类：新品快报 时间：2022/4/14 阅读：1928
埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管，据此扩展LDMOS基站和多载波产品线
埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计...
分类：新品快报 时间：2021/10/28 阅读：1968
电力电子的快速发展得益于宽禁带（WBG）半导体材料的发展，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）。这些材料与传统硅相比具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的热导率...
设计应用 时间：2025/4/22 阅读：159
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：318
碳化硅元件 与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术，SiC 增强...
设计应用 时间：2024/11/1 阅读：553
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性...
设计应用 时间：2024/9/13 阅读：262
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。 基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电...
设计应用 时间：2024/7/16 阅读：333
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
设计应用 时间：2023/12/28 阅读：1539
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在...
基础电子 时间：2023/7/5 阅读：963
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司（EPC）...
新品速递 时间：2022/4/11 阅读：720
意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新 近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短...
新品速递 时间：2021/8/13 阅读：420
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...
设计应用 时间：2019/11/8 阅读：482
