SiC

SiC技术

SiC MOSFET的栅极应力测试

氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧...

设计应用 时间:2024/8/6 阅读:86

革新ZVS软开关技术,Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能

面对这一挑战,尽管电力电子工程师们早就掌握了理论上能够达到零损耗的ZVS软开关这一秘密武器,但在纷繁复杂的实际应用中,由于寄生参数、控制精度、热效应、材料特性等种...

设计应用 时间:2024/8/5 阅读:159

Qorvo E1B SiC模块:成就高效功率转换系统的秘密武器

在功率转换中,效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量,并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅(SiC)技术的结合为提升开关...

设计应用 时间:2024/6/13 阅读:774

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

碳化硅(SiC)如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示,与硅(Si)材料相比,SiC具有诸多技术优势,因此我们不难理解为何它已成为电动汽车(EV)、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...

基础电子 时间:2024/5/31 阅读:286

无芯变压器隔离适用于电动汽车和工业应用的 SiC 栅极驱动器

随着对更高电压运行和更高效率的要求,最新的电动汽车和工业电源系统趋势推动了电力系统设备的更高集成度和安全性。实现这些功能的关键要素是隔离栅极驱动器。在隔离栅极驱...

设计应用 时间:2024/4/30 阅读:1347

xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试

xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高...

设计应用 时间:2024/4/26 阅读:460

在电动汽车充电解决方案中使用 SiC 和硅的好处

SiC基功率器件的优点  考虑一下阳光充足的一天,从而产生充足的可再生能源,例如通过光伏电池板。当电动汽车停放并连接到充电系统时,可以利用这种能量,有效地为电池充...

技术方案 时间:2024/3/2 阅读:891

SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求

SiC MOSFET 的优点  SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比,SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大,因此可以承...

设计应用 时间:2024/1/8 阅读:460

用于电动汽车充电器应用 PFC 的 SiC 器件

交流充电桩适合在家中或工作场所为电动汽车充电,因为目前车载充电器的额定功率通常达到11千瓦,充满电需要8~10小时。然而,对于假期等长途旅行,消费者希望在休息期间充电...

设计应用 时间:2023/12/26 阅读:583

适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装

电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失,我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。  对于这些电力电子系统中使用的拓扑,...

设计应用 时间:2023/12/25 阅读:580