CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能，业界...
基础电子 时间：2026/9/9 阅读：577
SiC 器件准静态 CV 测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
电容电压（CV）测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段，在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据，能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等众...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：149
SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径：用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷
在半导体材料和器件制造过程的分析中，电容 - 电压（C - V）测量是一种极为重要的手段，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中，我...
设计应用 时间：2026/8/14 阅读：239
SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解
在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下，SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻，作为目前应用最广泛的低成本...
设计应用 时间：2026/8/3 阅读：300
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
设计应用 时间：2026/7/28 阅读：234
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...
全部 时间：2026/7/27 阅读：263
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...
设计应用 时间：2026/7/24 阅读：359
安森美详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
在电力电子领域，共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）凭借其高耐压、低导通损耗、开关速度快以及栅极电荷低（0 - 12 V 栅极驱动）等显著优势，在 LLC 谐振变换器中展现出了巨大的应用潜力。然而，其在关断时...
基础电子 时间：2026/7/21 阅读：166
MPS推出1700V SiC反激控制器HF1070，为高压辅助电源带来高效新方案
MPS芯源系统（NASDAQ：MPWR）近日推出新一代高压离线电源解决方案——HF1070。该器件是一款高度集成的连续导通模式（CCM）/准谐振（QR）反激式稳压控制器，内置1700V SiC功率器件，支持高达1080V直流输入，为三相智能电表、工业变频器、A...
新品速递 时间：2026/7/10 阅读：479
在当今追求零碳社会的大背景下，交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中，更轻、更高效的电子元器件发挥着不可或缺的作用，车载充电器（OBC）便是其中的典型代表。那...
设计应用 时间：2026/6/30 阅读：564
